GB/T 8128--2008 單相串勵(lì)電動(dòng)機(jī)實(shí)驗(yàn)方法
出處:互聯(lián)網(wǎng) 發(fā)布于:2014-01-16 11:38:44
導(dǎo)讀:本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了單相串勵(lì)電動(dòng)機(jī)的試驗(yàn)項(xiàng)目、試驗(yàn)設(shè)備及試驗(yàn)方法。
本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)發(fā)布。
















版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 工業(yè)視覺(jué)檢測(cè)系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)與選型運(yùn)維指南2026/1/4 14:50:21
- 工業(yè)視覺(jué)檢測(cè)系統(tǒng)核心知識(shí)解析2025/12/29 11:23:21
- 工業(yè)級(jí)電磁閥技術(shù)參數(shù)與選型運(yùn)維指南2025/12/29 11:06:44
- 工業(yè)控制系統(tǒng)遠(yuǎn)程訪問(wèn)安全實(shí)操指南2025/12/25 10:04:23
- 工業(yè)控制系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)安全防護(hù)實(shí)操指南2025/12/25 9:53:54
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)中的EMI問(wèn)題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見(jiàn)問(wèn)題分析









