摘要：本文介紹了CD4011B芯片分層和拍照的方法，芯片的工藝，版圖單元的結(jié)構(gòu)分析。從芯片版圖中提取電路圖，采用電路模擬軟件進(jìn)行了仿真研究，證明電路邏輯關(guān)系正確性。表明典型芯片的版圖研究對(duì)設(shè)計(jì)集成電路具有較高的參考價(jià)值。

　　1.引言

　　集成電路產(chǎn)業(yè)是能體現(xiàn)知識(shí)經(jīng)濟(jì)特征的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)。以集成電路為主要技術(shù)的微電子產(chǎn)業(yè)的高度發(fā)展促進(jìn)了現(xiàn)代社會(huì)的電子化、信息化、自動(dòng)化，并引起了人們社會(huì)生活的巨大變革。集成電路布圖設(shè)計(jì)（以下簡(jiǎn)稱版圖設(shè)計(jì)）在集成電路設(shè)計(jì)中占有十分重要的作用。版圖設(shè)計(jì)是指集成電路中至少有一個(gè)是有源元件的兩個(gè)以上元件和部分或者全部互連線路的三維配置，或者為制造集成電路而準(zhǔn)備的上述三維配置。集成電路芯片流片成本高，必須保證較高的成品率，版圖設(shè)計(jì)人員應(yīng)具有扎實(shí)理論基礎(chǔ)和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。典型芯片是經(jīng)過實(shí)踐檢驗(yàn)性能優(yōu)越，所以，通過研究已有的典型芯片版圖是提高設(shè)計(jì)能力的有效途徑。

　　版圖設(shè)計(jì)是在一定的工藝條件基礎(chǔ)上根據(jù)芯片的功能要求而設(shè)計(jì)的。目前，集成電路的主要工藝有三種，分別是雙極工藝、CMOS工藝和BICMOS工藝。其中CMOS工藝芯片由于功耗低、集成度高等特點(diǎn)而應(yīng)用廣泛，所以，研究CMOS工藝芯片版圖具有更重要的意義。

　　本文對(duì)C D 4 0 1 1 B芯片進(jìn)行了逆向解析，通過研究掌握了該芯片的設(shè)計(jì)思想和單元器件結(jié)構(gòu)，對(duì)于提高CMOS集成電路設(shè)計(jì)水平是十分有益的。

　　2.芯片分層拍照

　　本文解析的CD4011B芯片是雙列直插式塑料封裝，共14個(gè)管腳，包含四個(gè)二輸入與非門。根據(jù)芯片編號(hào)規(guī)則判斷為CMOS工藝制造。

　　首先將芯片放到濃硝酸中加熱去掉封裝，用去離子水沖洗、吹干后在顯微鏡下拍照鋁層照片。再將芯片放到鹽酸溶液中漂洗去掉鋁層，用去離子水沖洗、吹干后放到氫氟酸溶液中去掉二氧化硅層，經(jīng)去離子水沖洗、吹干后用染色劑染色，雜質(zhì)濃度高部分顏色變深，沖洗、吹干后在顯微鏡下對(duì)去鋁層（有源層）芯片拍照。

　　采用圖形編輯軟件分別對(duì)兩層照片進(jìn)行拼接，獲得版圖照片。

　　3.單元結(jié)構(gòu)

　　CD4011B的有鋁層和去鋁層照片表明芯片四個(gè)二輸入與非門結(jié)構(gòu)相同，只要分析一個(gè)與非門即可。該芯片一個(gè)二輸入與非門去鋁版圖照片如圖1所示。其中E和F為輸入端，L為輸出端。

　　該芯片是P襯底、N外延層和P阱工藝，與非門主要由NMOS和PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成，靜電保護(hù)電路由二極管和電阻構(gòu)成。NMOS和PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管如圖2所示。

　　圖2的（a）和（b）分別是NMOS場(chǎng)效應(yīng)管去鋁版圖和剖面圖，該芯片采用鋁柵，厚場(chǎng)氧化層作為絕緣隔離。

　　圖2的（c）和（d）分別為一種PMOS場(chǎng)效應(yīng)管鋁層和去鋁層，該器件采用叉指結(jié)構(gòu)，目的是既增加?xùn)艠O的寬度，提高輸出電流，又節(jié)省了版圖面積。

　　圖3（a）和（b）分別是芯片的二極管和電阻去鋁版圖。二極管采用P阱作為正極，二極管作用是輸出和輸入端口防靜電保護(hù)。

　　電阻為基區(qū)電阻，基區(qū)電阻與N外延層構(gòu)成同時(shí)構(gòu)成兩個(gè)二極管。

　　4.電路圖和仿真

　　根據(jù)CD4011B芯片的鋁層和去鋁層版圖照片提取了一個(gè)二輸入與非門電路如圖4（a）所示。

　　采用Pspice軟件對(duì)電路圖進(jìn)行瞬態(tài)仿真，其中電源電壓為5V,輸入信號(hào)高電平為5V,低電平為0V,仿真結(jié)果如圖4（b）、（c）為輸入端信號(hào)，（d）為輸出端信號(hào)。結(jié)果表明該電路實(shí)現(xiàn)了與非門的邏輯功能，電路提取正確。

　　5.結(jié)論

　　本文采用化學(xué)方法對(duì)CD4011B芯片進(jìn)行了分層拍照，提取了電路圖，仿真驗(yàn)證正確。從芯片的版圖分析，該芯片采用NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、PN結(jié)二極管和基區(qū)電阻等器件單元，四個(gè)與非門版圖一致且對(duì)稱布局。該芯片采用典型的CMOS工藝，為了節(jié)省面積采用叉指場(chǎng)效應(yīng)晶體管，輸入和輸出端采用防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)。電路為典型的CMOS與非門電路。該芯片的版圖布局體現(xiàn)了設(shè)計(jì)的合理性和科學(xué)性。（作者：王健，張大為，徐洪偉）