鉭電容能耐受的浪涌電流值計算
出處:鮑云竹 發(fā)布于:2012-09-28 11:48:25
如果在鉭電容器上有紋波電流,就會在電容器內(nèi)部產(chǎn)生功率損耗,它會影響到鉭電容器的可靠性,當電路上的紋波電流超過鉭電容器允許的浪涌電流時,就會造成鉭電容器的失效(短路、燒毀、爆炸)。明確的計算出毎個鉭電容規(guī)格允許的紋波電流值,對前期產(chǎn)品設(shè)計的時候具有重要的參考意義,非常遺憾的是AVX和KEMET等品牌鉭電容的規(guī)格書中并沒有標準這一項重要參數(shù),為此我們認為有必要跟大家探討下這個問題。
1.功率損耗
電容器內(nèi)實際的功率損耗可以利用下面的公式計算出來:

2. 波紋電流
利用表1中的P,可以通過下面的公式來確定的波紋電流(A)
I=√P/ESR ×K×F………………….公式2
其中:
K: 溫度降額因素 表2
F: 頻率降額因素 表3
ESR: 參考額定值
表2:溫度降額因素

表3:頻率降額因素

常用規(guī)格紋波電流值計算舉例

更多相關(guān)內(nèi)容,請參考閱讀:http://www.hbjingang.com/product/searchfile/10737.html
下一篇:熱敏電阻工作原理
版權(quán)與免責聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負版權(quán)等法律責任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- MOSFET反向恢復特性對系統(tǒng)的影響2026/4/10 11:07:36
- 連接器耐腐蝕性能測試方法2026/4/10 10:56:32
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題2026/4/9 10:13:50
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析2026/4/9 10:02:52
- 連接器選型中容易忽略的關(guān)鍵參數(shù)2026/4/8 10:32:54









