下一代串行數(shù)據(jù)標準采用的高速率已經(jīng)進入到微波領域。比如，即將到來的SuperSpeed USB(USB 3.0)通過雙絞線對線纜傳輸速的率就達到了5Gb/s。通過連接器和線纜傳輸如此高的速率必須考慮通道的不連續(xù)性引起的失真。為了將失真程度保持在一個可控的水平，標準規(guī)定了線纜和連接器對的阻抗和回波損耗。的測量使用S參數(shù)S11表征而且必須歸一化到線纜的90歐姆差分阻抗。
　　當測量USB 3.0通道的S參數(shù)時，可選的儀器是時域反射計或TDR。TDR系統(tǒng)通常往待測器件注入一個階躍電壓信號然后測量是時間函數(shù)的反射電壓。差分測量通過產生極性相反可相對定時的階躍電壓對實現(xiàn)。這篇文章中談到的都是差分信號。
　　反射電壓與發(fā)射器和待測器件之間的阻抗失配成比例，關系如下式：

Z0 是源阻抗，ZL(t)是待測器件的阻抗，r(t)是反射系數(shù)，Vr(t)/Vi(t)是入射和發(fā)射電壓的比率。式(1)假設到待測器件的源，線纜和連接器都是匹配的，但事實上這種情況很少見。為了補償線纜和連接器的不理想，參考平面校正（基線校正）通常進行開路，短路，負載校準。調整式 (1)可以得到待測器件的阻抗和時間（或距離）的函數(shù)，所以可以使用校準過的TDR做阻抗測量。
　　圖1展示了USB 3.0 帶有連接器線纜的的阻抗曲線。曲線表明了隨著TDR 階躍信號在線纜中的行進阻抗變化是時間的函數(shù)。注意軌跡兩頭的阻抗變化，那是由于連接器引起的，當使用上升時間100ps （階躍信號）測試時連接器的阻抗規(guī)定是90+/- 7歐。TDR的上升時間非常重要，因為阻抗變化和TDR階躍信號的上升時間成反比，而規(guī)范規(guī)定的USB 3.0信號的上升時間是100 ps，測量中匹配這個上升時間將給出信號“看到的”阻抗。

　　Figure 1: Differential impedance vs. time measurement for USB3.0 cable and mated connectors
　　圖1：USB 3.0帶有連接器線纜的 差分阻抗 vs 時間 測量
　　回波損耗或S11 是頻域的測量和反射系數(shù)有關。歸一化（通過反射平面校準 基線校正）反射系數(shù)的傅里葉變換給出了回波損耗是頻率的函數(shù)。圖2給出了USB 3.0線纜和連接器測量的結果。圖中的橫軸表示2GHz/p，范圍是0~20GHz，縱軸表示10dB/p?；夭〒p耗在2GHz大約是15dB,但隨著頻率的增加開始變得越來越小。精細的空值間隔是由線纜末端的連接器引起的，較大的空值間隔是由于連接器內部的阻抗結構決定的。

　　Figure 2: Differential return loss for USB3.0 cable with mated connectors
　　圖2： USB 3.0 帶有連接器線纜的差分回波損耗
　　回波損耗可以參考圖1中線纜和連接器阻抗是90歐而TDR系統(tǒng)差分阻抗是100歐，由于USB 3.0發(fā)射機阻抗是90歐，這個不匹配人為地減少了回波損耗。為了正確的表達回波損耗，將阻抗轉化為測試到的S11 是非常必要的，轉換關系由下式給出。

　　轉化可以分為兩步。首先，用特征阻抗是100歐姆的測試系統(tǒng)得出的復數(shù)S參數(shù)計算出復數(shù)的負載阻抗。其次，用新的90歐姆參考阻抗計算出負載阻抗的S參數(shù)?；夭〒p耗是頻率的函數(shù)，所以可以計算出每個頻點的S參數(shù)。
　　舉個例子，用100歐姆阻抗表征的復合回波損耗S11 = 0.53 - 0.12J 轉換到90歐姆的如下：

式2 用來將圖2中測到的插損 轉換到90歐姆差分阻抗。圖3中的兩個曲線給出了100歐姆和90歐姆特征阻抗的的回波損耗。

　　Figure 3: Return loss measured with 100 ohm reference (dotted line) and 90 ohm (solid line) reference
　　圖3：100 歐姆（虛線）和90歐姆參考（實線）的回波損耗
　　USB 3.0 線纜和連接器的差分阻抗可以使用校正的TDR系統(tǒng)測量插損而得出。通過對連接到待測器件的參考平面（基線校正）運行開路，短路，負載進行校正。通過簡單的轉換測試系統(tǒng)和待測器件之間的不同阻抗進行插損補償。
　　References
　　參考：
　　[1] “Time Domain Spectrum Analyzer and "S" Parameter Vector Network Analyzer”, James R. Andrews, Picosecond Pulse Labs application note AN-16a, November 2004
　　[2] “converting s-parameters from 50-ohm to 75-ohm Impedance”, Dallas Semiconductor/Maxxim application note November 21, 2003

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