目前廣泛應(yīng)用于各種射頻電路中的貼片電容因其尺寸和電容量均較小,沒有比較合適的射頻段測(cè)試儀器。我們應(yīng)用微波網(wǎng)絡(luò)理論分析后,自行設(shè)計(jì)共面波導(dǎo)作為測(cè)試夾具,利用射頻矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀在高頻至射頻波段(300M～3000MHz)對(duì)射頻陶瓷貼片電容(尺寸約2.00mm×1.26mm×0.67mm,電容量0.5～7.5pF)進(jìn)行了掃頻測(cè)量。
　　貼片電容模型
　　射頻陶瓷貼片電容的外形示意圖如圖1所示。
　　
　　其等效模型如圖2所示。
　　
　　
　　其中,C為電容,L為電極等效串聯(lián)電感,R為電極和介質(zhì)交流漏電阻的等效串聯(lián)值,這樣,一個(gè)射頻電容的阻抗Z為:
　　
　　測(cè)試夾具
　　本實(shí)驗(yàn)使用特性阻抗Zc為50Ω的共面波導(dǎo)作為測(cè)試夾具,將待測(cè)電容橫跨接在共面波導(dǎo)的內(nèi)外金屬條帶之間,其橫截面圖如圖3所示。并接在共面波導(dǎo)上的被測(cè)電容構(gòu)成的雙端口網(wǎng)絡(luò)如圖4所示。
　　
　　計(jì)算與結(jié)果
　　網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量并結(jié)合一定的校準(zhǔn)方法(TRL)可算出電容的散射參數(shù)S21o由微波網(wǎng)絡(luò)理論可知:
　　
　　取Z的虛部(電抗)X,運(yùn)用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理中的二乘法并由(1)式知,X的擬合模型為?L-1/?C。通過一系列頻點(diǎn)?i的測(cè)試計(jì)算數(shù)據(jù)Xi(i=1,2,.,n),尋找的參數(shù)L和C使得:
　　
　　現(xiàn)對(duì)5個(gè)標(biāo)稱值已知的片式電容在300M～3000MHz的頻率范圍內(nèi)測(cè)量,所得數(shù)據(jù)與生產(chǎn)廠家給出的電容標(biāo)稱值進(jìn)行比較,如表1所示。
　　
　　由上表可見,片式電容的測(cè)量值均落在標(biāo)稱值的容許誤差范圍內(nèi)。
　　其中5號(hào)電容的測(cè)量計(jì)算電抗值X與擬合模型?L-1/?C的曲線如圖5所示。
　　
　　從上圖可以直觀地看出,被測(cè)電容的電抗符合模型所描述的規(guī)律。
　　采用掃頻法測(cè)量阻抗值并用二乘法擬合計(jì)算,不僅可以得出電容值,還可以得出等效串聯(lián)電感和電阻(由于生產(chǎn)廠家沒有給出相應(yīng)的標(biāo)稱值進(jìn)行比較,這里不再列出)。應(yīng)注意掃頻帶寬不宜過大,否則會(huì)因電容器內(nèi)電介質(zhì)的色散而使電容值有一定的變化,通?？稍?G的頻寬內(nèi)測(cè)量。

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