浮子液位開關(guān)的特點(diǎn)及它技術(shù)參數(shù)如何
出處:awey 發(fā)布于:2012-12-10 09:34:11
浮子液位開關(guān)是垂直液面的液位開關(guān),包括一個(gè)浮筒磁塊及簧片來探測(cè)液位,浮子液位開關(guān)的探頭干狀態(tài)時(shí),浮子位于位置,瓷塊不影響開關(guān);當(dāng)浮子液位開關(guān)的探頭浸入液體時(shí),浮子浮起,瓷塊上升引起簧片開關(guān)改變狀態(tài)。小型立式及水平式浮子液位開關(guān)價(jià)格低廉。浮子液位開關(guān)對(duì)純凈的、無結(jié)層的或懸浮液類型的液體進(jìn)行液位測(cè)量。
特點(diǎn):
浮子液位開關(guān)可以測(cè)量各種液體,內(nèi)置高品質(zhì)簧片開關(guān),體積小巧;浮子液位開關(guān)的IP68探頭和纜線可以在液面下運(yùn)作,繼電器輸出可與PLC或報(bào)警器連接;浮子液位開關(guān)是PP/PFA 材料,耐酸堿腐蝕;浮子液位開關(guān)的安裝方式有水平式和垂直式可選。欲了解更多浮子液位開關(guān)請(qǐng)點(diǎn)擊http://www.hbjingang.com/product/infomation/874135/201211129409451.html
技術(shù)參數(shù):
: 水中2mm 重復(fù)性: 水中 1mm
極偏角: 20度 比重: >0.8
繼電器: 15VA@120VAC /VDC 開關(guān)量輸出: SPDT NO/NC可選
耐溫: -40--90℃ 耐壓: 2bar (25℃)
探頭材料: PP/PVDF 防護(hù)等級(jí): IP68
安裝螺紋: 3/4”NPT/BSP 電纜規(guī)格: 3--15米
防爆: 無
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響2026/4/10 11:07:36
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法2026/4/10 10:56:32
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題2026/4/9 10:13:50
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析2026/4/9 10:02:52
- 連接器選型中容易忽略的關(guān)鍵參數(shù)2026/4/8 10:32:54
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









