隨著技術(shù)的進(jìn)步，EMI對(duì)電路正常運(yùn)行構(gòu)成越來越大的威脅。這是因?yàn)?a href="http://www.hbjingang.com" target="_blank">電子應(yīng)用正轉(zhuǎn)向各種無線通信或者便攜式平臺(tái)。因此大多數(shù)干擾EMI信號(hào)終都以傳導(dǎo)EMI的形式進(jìn)入到PCB線跡（trace）中。

　　當(dāng)您努力想要設(shè)計(jì)出一種抗EMI電路時(shí)，您會(huì)發(fā)現(xiàn)，模擬傳感器電路往往會(huì)成為巨大的EMI吸收器。這是因?yàn)?，傳感器電路常常產(chǎn)生低電平信號(hào)，并且有許多高阻抗模擬端口。另外，這些電路使用更加緊湊的組件間隔，其讓系統(tǒng)更容易截獲和傳導(dǎo)噪聲干擾，從而進(jìn)入到線跡中。

　　在這種EMI情況下，運(yùn)算放大器（op amp）便會(huì)成為一個(gè)主要目標(biāo)。我們?cè)诒鞠盗形恼碌牡?部分“EMI如何通過介質(zhì)干擾電路”看到了這種效應(yīng)。此文中圖1所示EMI信號(hào)引起1.5伏的偏移電壓誤差！

　　一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的運(yùn)算放大器有3個(gè)低阻抗引腳（正功率、負(fù)功率和輸出）以及2個(gè)高阻抗輸入引腳（請(qǐng)參見圖1a）。盡管這些引腳可以抵抗EMI影響，但是輸入引腳為脆弱。

　　圖1:EMIRR與EMIRR IN+測(cè)定方法比較

　　EMIRR電磁干擾抑制比

　　電壓反饋放大器的反相和非反相引腳的特性基本相同。但是，非反相輸入（請(qǐng)參見圖1b）的放大器EMI耐受度測(cè)試為簡單。

　　方程式1中，VRF_PEAK為所用RF電壓的峰值，VOS為放大器的DC偏移電壓，而100 mVP為100mVP輸入信號(hào)EMIRR IN+參考。

　　您可以利用EMIRR衡量標(biāo)準(zhǔn)，比較放大器的EMI抑制性能。圖2顯示了TI OPA333 CMOS運(yùn)算放大器的EMIRR IN+響應(yīng)。該圖表明，這種器件可以較好地抑制器件300 kHz帶寬以上的頻率信號(hào)。

　　圖2:OPA333、EMRR IN+與頻率的關(guān)系

　　相比外部RC濾波器，集成電路內(nèi)部EMI濾波器擁有三個(gè)方面的好處。潛在用戶可以對(duì)包含集成濾波器的放大器的性能進(jìn)行測(cè)試，以保證其在較寬頻率范圍的EMI抑制性能。無源濾波器組件在寄生電容和電感方面并不理想，其限制了濾波器抑制甚高頻噪聲的能力。與之形成對(duì)比的是，集成電路與片上無源組件的電氣特性十分匹配。，使用內(nèi)部濾波器的集成電路還可以給客戶帶來其它一些好處，例如：組件數(shù)目更少、成本更低和電路板面積更小等。

　　為了降低電路的EMI敏感度，電路板設(shè)計(jì)人員應(yīng)始終注意使用良好的布局方法?？梢酝ㄟ^讓線跡長度盡可能的短，使用表面貼裝組件，以及使用具有專用信號(hào)回路接地層的印制電路板（PCB），來實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)。盡可能地保持接地層完整，并讓數(shù)字信號(hào)遠(yuǎn)離模擬信號(hào)通路。另外，將射頻旁路電容器放置在所有集成電路電源引腳上。讓這些電容器靠近器件引腳，并確保在潛在EMI頻率下其阻抗盡可能地接近0歐姆。