瓷介電容的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
出處:liuruidong 發(fā)布于:2012-10-18 10:39:54
瓷介電容又稱為陶瓷電容器,它是以陶瓷為介質(zhì),涂敷金屬薄膜(通常為銀)經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而形成電極,再在電極上焊上引出線,外表涂以保護(hù)磁漆,或用環(huán)氧樹脂包封,即成為瓷介電容。作為瓷介電容介質(zhì)的陶瓷材料是由各種原料按照不同的配方經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后制成的。陶瓷材料配方不同,它的電性能也不同。利用這一點(diǎn),就可以制造出各種不同介電常數(shù)和不同溫度系數(shù)的電容器,以滿足不同的使用要求。
瓷介電容的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
瓷介電容中常用的陶瓷介質(zhì)材料有以下三類:
?、裥碗娙萜魈沾?它的介電常數(shù)一般小于100,電氣性能穩(wěn)定,基本上不隨溫度、電壓、時間的改變而變化,屬超穩(wěn)定、低損耗的電容器介質(zhì)材料,常用于對穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、超高頻、甚高頻的場合。
?、蛐碗娙萜魈沾?它的介電常數(shù)一般大于1000 ,電氣性能較穩(wěn)定,適用于隔直、耦合、旁路及對可靠性要求較高的中、低頻場合。Ⅱ型電容器陶瓷:它具有很高的介電常數(shù),廣泛應(yīng)用于對容量穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合。
以鈮鎂酸鉛為主的陶瓷材料為介質(zhì)的電容器被稱為獨(dú)石瓷介電容,它由多層片狀陶瓷膜疊起來燒結(jié)而成。由于它的每片陶瓷膜很薄,因此具有容量大、體積小的特點(diǎn)。
瓷介電容具有以下特點(diǎn):
?、儆捎陔娙萜鞯慕橘|(zhì)材料為陶瓷,所以耐熱性能良好,不容易老化。
?、?STRONG>瓷介電容能耐酸堿及鹽類的腐蝕,抗腐蝕性好。
?、鄣皖l陶瓷材料的介電常數(shù)大,因而低頻瓷介電容的體積小、容量大。
?、芙^緣性能好,可制成高壓瓷介電容器。
?、莞哳l陶瓷材料的損耗角正切值與頻率的關(guān)系很小,因而在高頻電路可選用高頻瓷介電容。
?、迌r(jià)格便宜,原材料豐富,適宜大批量生產(chǎn)。
?、?STRONG>瓷介電容的電容量較小,機(jī)械強(qiáng)度較低。
瓷介電容的品種很多,按介質(zhì)材料可分為高介電常數(shù)電容器和低介電常數(shù)電容器;按工作頻率可分為高頻瓷介電容器和低頻瓷介電容器;按工作電壓又可分為高壓瓷介電容器和低壓瓷介電容器。瓷介電容器的外形結(jié)構(gòu)也是多種多樣的,常見的有圓片形、管形、穿心式、筒形以及疊片式等。
更多關(guān)于瓷介電容的技術(shù)資料請參考:http://www.hbjingang.com/product/searchfile/8444.html
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響2026/4/10 11:07:36
- 連接器耐腐蝕性能測試方法2026/4/10 10:56:32
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題2026/4/9 10:13:50
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析2026/4/9 10:02:52
- 連接器選型中容易忽略的關(guān)鍵參數(shù)2026/4/8 10:32:54
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析










