瓷介電容器可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為I型(CC型)和II型(CT型)。

　　I型(CC型)特點(diǎn)是體積小，損耗低，電容對(duì)頻率，溫度穩(wěn)定性都較高，常用于高頻電路。

　　II型(CT型)特點(diǎn)是體積小，損耗大，電容對(duì)溫度頻率，穩(wěn)定性都較差，常用于低頻電路。

　　CC1型圓片高頻瓷介電容器：適用于諧振回路及其他電路做溫度補(bǔ)償，耦合，隔直使用。

　　允許偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)溫度系數(shù)：-150--- -1000PPM/C環(huán)境溫度：-25-85C 相對(duì)濕度：+40C時(shí)達(dá)96%

　　CT1型圓形低頻瓷介電容：環(huán)境溫度：-25-85C 相對(duì)濕度：+40C時(shí)達(dá)96%工作電壓50V電容范圍和允差：101-472 (+-10%) 472-403(+80-- -20%)

　　CC01圓形瓷介電容：環(huán)境溫度：-25-85C 相對(duì)濕度：+40C時(shí)達(dá)96% 大氣壓力750+-30mmhg允許偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)

　　CT01圓形瓷片電容：環(huán)境溫度：-25-85C 相對(duì)濕度：+40C時(shí)達(dá)96% 大氣壓力750+-30mmhg 絕緣電阻：1000mohm 允差：+80 -20%容量：1000-47000p工作電壓：63v 試驗(yàn)電壓：200v

　　獨(dú)石瓷介電容器：

　　CC4D獨(dú)石瓷介電容器：環(huán)境溫度：-55-85C 相對(duì)濕度：+40C時(shí)達(dá)98% 大氣壓力666.6PA 容量：100-100000p工作電壓：40v 試驗(yàn)電壓：120v

　　CT4D獨(dú)石瓷介電容器：環(huán)境溫度：-55-85C 相對(duì)濕度：+40C時(shí)達(dá)98% 大氣壓力1000PA 容量：0.033-2.2uf工作電壓：40v-100v 試驗(yàn)電壓：3UW允差：+80-20%

　　CC2,CT2管形瓷介電容器：與片形瓷介電容相比，機(jī)械強(qiáng)度高，用作旁路時(shí)內(nèi)電極屏蔽性能好，用在高頻電阻雜散耦合好，缺點(diǎn)是固有諧振頻率低，制造工藝復(fù)雜，產(chǎn)量低。

　　CC10 超高頻瓷介電容：環(huán)境溫度：-55-85C 相對(duì)濕度：+40C時(shí)達(dá)98% 壓力33mmhg 震動(dòng)強(qiáng)度：加速度10g 沖擊：加速度25g 離心：加速度15g

　　允差：k容量：1-47p工作電壓：500v

　　CT82,CC82高壓高功率瓷片電容：

　　環(huán)境溫度：-25-85C 相對(duì)濕度：+40C時(shí)達(dá)98%大氣 壓力40000PA 震動(dòng)：加速度15g 沖擊：加速度15g額定電壓：1-4kv 試驗(yàn)電壓：2.5-8kv允差：K,M

　　CC3,CCTD型疊片瓷介電容器CCTF型方形疊片瓷片電容器

　　CC3 容量：33-1000P 允差：K,M 工作電壓：100V

　　CCTD 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作電壓：250V

　　CCTF 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作電壓：160V

　　CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介電容

　　該類電容使用于VHF,UHF調(diào)諧器和其他無(wú)線電設(shè)備中做高低頻旁路濾波用。

　　CC52E-1C 容量：2-33P工作電壓：63V 絕緣電阻：10000mohm

　　CC53-2C 容量：1000-1500P工作電壓：160V 絕緣電阻：1000mohm

　　CT87鼓形高壓低頻瓷介電容器,該電容主要使用于電子設(shè)備的脈沖電路。CC87-1 容量：470P工作電壓：10KV 絕緣電阻：10000mohm

　　CCG81型板形高功率瓷介電容：使用于大功率高頻電子設(shè)備中。容量：1000P 工作電壓20KV(高頻15KV) 額定無(wú)功功率：100KVA電流：25A 重量：1.3KG

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