用MR16LED替代1W至5WLED驅(qū)動(dòng)
出處:H78396 發(fā)布于:2011-09-26 14:25:15
測電路。這參考設(shè)計(jì)的功能框圖如圖1所示。

圖1:安森美半導(dǎo)體用于MR16 LED替代應(yīng)用的1 W至5 W LED驅(qū)動(dòng)器GreenPoint?參考設(shè)計(jì)框圖。
基本電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的原理非常簡單。導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),輸入電壓源直接連接至電感(L),從而在電感中積聚能量。在這個(gè)階段,電容C為輸出負(fù)載提供能量。關(guān)閉狀態(tài)時(shí),電感通過輸出二極管連接至輸出負(fù)載及電容,從而傳輸能量給負(fù)載。

圖2:不帶Vin補(bǔ)償及帶Vin補(bǔ)償時(shí)的平均LED電流vs. Vin曲線。
因此,使用輸入電壓前饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)來減少由于Iout vs. Vin曲線的非線性響應(yīng)導(dǎo)致的誤差。由電阻R3、R5及加法電阻R4組成的電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)(參見圖5)用于增加Vin比例電壓至FB引腳,從而在Vin增加時(shí)降低負(fù)載電流。這就起到使圖2a曲線平坦化的效果,并降低了總體電流誤差(見圖2b)。
電阻R9和電容C6用于限制高輸入電壓外部開關(guān)的門極至源極電壓。由R9和R2組成的電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)用于設(shè)定門極至源極電壓(Vgs):
脈沖反饋電阻
電阻R7與二極管D5用于降低跳脈沖(pulse skipping)的可能性。由于突發(fā)模式控制僅涉及一個(gè)反饋電壓及每周期交叉檢測,并不包含使用窗口比較器,有可能產(chǎn)生跳過的脈沖(skipped pulse),這跳過的脈沖不會(huì)影響直流調(diào)節(jié),但如果脈沖有低頻分量,可能會(huì)在LED應(yīng)用中呈現(xiàn)閃爍。
R7和D5增加了流至Ct時(shí)序電容C2的電流。這有效地限制了NCP3065可提供的占空比。當(dāng)條件允許低占空比時(shí),R7和D5就使高于所需值的占空比不會(huì)出現(xiàn)。在關(guān)閉期間,需要D7來阻隔電壓,因?yàn)檫@是降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。更多有關(guān)脈沖反饋補(bǔ)償?shù)男畔⒁姲采腊雽?dǎo)體的NCP3065數(shù)據(jù)表。
交流工作Vs.直流
由于有半正弦波輸入至降壓-升壓段,與純粹直流輸入相比,工作點(diǎn)就會(huì)不同。由于小尺寸是這設(shè)計(jì)的一項(xiàng)目標(biāo),故在全橋整流器后使用了極小的輸入電容。
因此,這樣一來,根據(jù)所選擇的輸入電容,線路電壓能夠降到低至3 V。故轉(zhuǎn)換器的輸入是全波整流正弦波。由于穩(wěn)壓器在電壓低于約4 V時(shí)不工作(non-functional),故存在穩(wěn)壓盲區(qū)(dead spot)。因此,我們穩(wěn)壓的是120 Hz線路周期中約80%的有限部分,其余約20%則沒有穩(wěn)壓。采用交流輸入工作時(shí),這會(huì)降低平均電流約20%。
當(dāng)采用大于12 Vac的電壓工作時(shí),應(yīng)當(dāng)考慮散熱問題。在多數(shù)應(yīng)用中,這個(gè)模塊會(huì)增加熱耗散。輸入電壓補(bǔ)償增加了額外的交流補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),從而應(yīng)對(duì)不同的工作點(diǎn)。
保護(hù)
齊納二極管Z1和電阻R1,以及NCP3065的限流功能用于開路保護(hù)。在出現(xiàn)負(fù)載開路事件時(shí),環(huán)路將嘗試增加輸出電壓以滿足零電流反饋的電流需求。當(dāng)(Vin+Vout)超過Z1的電壓時(shí),電流會(huì)流過R1,觸發(fā)NCP3065的限流功能。
短路保護(hù)通過輸入端的熔絲F1來處理。電感型負(fù)載的浪涌保護(hù)也必須慎重考慮,特別是在變壓器饋電系統(tǒng)中,這類系統(tǒng)攜帶大量的源電感,如景觀照明應(yīng)用中的磁變壓器就是如此。需要選擇恰當(dāng)電壓的浪涌保護(hù)器件,其電壓不能超過功率FET門極至源極電壓,并帶有合理電壓余量。這可能要求通過反復(fù)試驗(yàn)來選擇,因?yàn)楦鶕?jù)需要吸收能量的不同,鉗位電壓可能會(huì)擴(kuò)展。
增加輸出電流
這參考設(shè)計(jì)的配置針對(duì)的是350 mA平均LED電流。增加這參考電路板的電流調(diào)節(jié)點(diǎn)非常簡單,只需要將電流感測電阻R8的值減半,即由250 mΩ減至125 mΩ。此外,也必須增加輸入熔絲,以適應(yīng)增大的輸入電流消耗。當(dāng)轉(zhuǎn)向更高功率的設(shè)計(jì)時(shí),根據(jù)外殼組件(housing)環(huán)境參數(shù)的不同,可能需要散熱片。
測試結(jié)果
這參考設(shè)計(jì)在不同交流輸入電壓條件下的輸出電流及在不同直流電壓條件下的能效測試結(jié)果分別如圖3a及3b所示。其中,如圖3b所示,這參考設(shè)計(jì)在11至17 Vdc范圍下能效高于0.75,這個(gè)能效數(shù)據(jù)在這類低功率應(yīng)用中表現(xiàn)亮眼。

圖3:a) Iout vs. Vac b) 能效 vs. Vdc
參考設(shè)計(jì)電路圖
這參考設(shè)計(jì)電路板的實(shí)物圖見圖4,完整電路圖則見圖5。

圖4:參考設(shè)計(jì)實(shí)物圖。(尺寸11 mm x 29 mm)。

圖5:安森美半導(dǎo)體用于MR16 LED替代應(yīng)用的1 W至5 W LED驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)電路圖。
總結(jié):
本文分析了驅(qū)動(dòng)高亮度LED的挑戰(zhàn),介紹了安森美半導(dǎo)體用于MR16 LED替代應(yīng)用的1 W至5 W LED驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì),包括基本的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、提供平坦輸出電流的突發(fā)模式控制、脈沖反饋補(bǔ)償、交流與直流工作特性對(duì)比、保護(hù)特性,以及如何修改這參考設(shè)計(jì)以提供更大輸出電流等。測試結(jié)果顯示,這參考設(shè)計(jì)在不同交流電壓條件下提供較平坦的輸出電流,且在不同直流條件下提供出色的能效。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- ARM技術(shù)架構(gòu)與應(yīng)用開發(fā)實(shí)踐指南2026/1/6 10:40:19
- 嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)選型與移植技術(shù)指南2025/12/31 10:42:31
- 工業(yè)嵌入式系統(tǒng):通信接口技術(shù)選型與抗干擾設(shè)計(jì)實(shí)踐2025/12/15 14:36:53
- 深入解析嵌入式 OPENAMP 框架:開啟異核通信新時(shí)代2025/7/22 16:27:29
- 一文快速了解OPENWRT基礎(chǔ)知識(shí)2025/7/14 16:59:04
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









