維庫小知識:電磁繼電器的技術(shù)指標(biāo)
出處:feng36xj 發(fā)布于:2011-09-21 10:12:03
普通電磁繼電器的主要技術(shù)指標(biāo)有直流電阻、線圈額定工作電壓、觸點(diǎn)額定工作電壓和電流、吸合電流、釋放電流等。主要技術(shù)指標(biāo)中線圈額定工作電壓、觸點(diǎn)額點(diǎn)工作電壓和電流是主要的,通常在繼電器的外殼上標(biāo)注,如圖1所示。

圖1 繼電器外殼上標(biāo)注的主要技術(shù)指標(biāo)
1.線圈額定電壓
使觸點(diǎn)穩(wěn)定切換時線圈兩端所加的電壓稱為額定電壓。額定電壓分為直流電壓和交流電壓。額定直流電壓常有6V、9V、12V、24V、48V等。對于線圈所加的工作電壓,一般不要超過額定工作電壓的1.5倍,否則會產(chǎn)生較大的電流而把線圈燒毀。
2.吸合電壓
保持觸點(diǎn)吸合,線圈兩端應(yīng)加的電壓稱為吸合電壓。吸合電壓通常為額定電壓的70% - 80%。
3.吸合電流
觸點(diǎn)吸合時線圈通過的電流稱為吸合電流。在正常使用時,給定的電流必須略大于吸合電流,這樣繼電器才能穩(wěn)定地工作。
4.釋放電壓
觸點(diǎn)吸合后釋放時,線圈兩端所加的電壓稱為釋放電壓,通常比吸合電壓低。
5.釋放電流
釋放電流是指繼電器產(chǎn)生釋放動作時的電流。當(dāng)繼電器吸合狀態(tài)的電流減小到一定程度時,繼電器就會恢復(fù)到未通電的釋放狀態(tài)。釋放電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于吸合電流。
6.線圈電阻
線圈的直流電阻稱為線圈電阻。它與線圈匝數(shù)及線圈的額定工作電壓成正比。繼電器直流電阻的大小可以通過萬用表測量,已知此電阻值,可根據(jù)歐姆定律推算出額定電壓和額定電流。
7.線圈消耗功率
繼電器線圈所消耗的額定電功率稱為線圈消耗功率。
8.觸點(diǎn)形式
觸點(diǎn)形式是指觸點(diǎn)的常開(D)、常閉(H)或一開一閉(Z)。
9.觸點(diǎn)負(fù)荷
觸點(diǎn)負(fù)荷是指觸點(diǎn)的帶載能力,即觸點(diǎn)能安全通過的電流和電壓。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響2026/4/10 11:07:36
- 連接器耐腐蝕性能測試方法2026/4/10 10:56:32
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題2026/4/9 10:13:50
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析2026/4/9 10:02:52
- 連接器選型中容易忽略的關(guān)鍵參數(shù)2026/4/8 10:32:54
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析









