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淺談TMS320C672x系列浮點DSP的EMIF研究與應(yīng)用

出處:張西峰 杜普選 孔 勇 發(fā)布于:2011-09-01 20:25:23

  目前,DSP技術(shù)已廣泛用于信號處理、通信和雷達(dá)等領(lǐng)域。數(shù)字信號處理(DigitalSignalProcessing,簡稱DSP)是一門涉及許多學(xué)科而又廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域的新興學(xué)科。20世紀(jì)60年代以來,隨著計算機和信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)字信號處理技術(shù)應(yīng)運而生并得到迅速的發(fā)展。在過去的二十多年時間里,數(shù)字信號處理已經(jīng)在通信等領(lǐng)域得到極為廣泛DSP技術(shù)圖解的應(yīng)用。數(shù)字信號處理是利用計算機或?qū)S锰幚碓O(shè)備,以數(shù)字形式對信號進(jìn)行采集、變換、濾波、估值、增強、壓縮、識別等處理,以得到符合人們需要的信號形式。數(shù)字信號處理是將信號以數(shù)字方式表示并處理的理論和技術(shù)。數(shù)字信號處理與模擬信號處理是信號處理的子集。

  TMS320C672x系列浮點DSP的EMIF性能優(yōu)良,增強了與外部1、2或4區(qū)的16位或32位SDRAM和異步器件連接的方便性和靈活性。TMS320C6722和TMS320C6726 EMIF寬度為16位,支持的SDRAM可達(dá)128 Mb。

  異步存儲器接口是從并行的8位、16位或32位NOR Flash實現(xiàn)系統(tǒng)自啟動。若使用大容量的Flash,EMIF連接Flash的高位地址線可通過外部器件CPLD或自身GPIO口擴展。外部存儲器接口(EMIF),External Memory Interface,是TMS DSP器件上的一種接口。一般來說,EMIF可實現(xiàn)DSP與不同類型存儲器(SRAM、Flash RAM、DDR-RAM等)的連接。一般EMIF與FPGA相連,從而使FPGA平臺充當(dāng)一個協(xié)同處理器、高速數(shù)據(jù)處理器或高速數(shù)據(jù)傳輸接口。設(shè)計接口提供了一個FPGA塊至RAM的無縫連接。在讀/寫、FIFO或存儲器模式中,雙端口塊RAM的一側(cè)被用來實現(xiàn)與DSP的通信。另一側(cè)用于實現(xiàn)與內(nèi)部FPGA邏輯電路或平臺-FPGA嵌入式處理器的通信。在使用DSP的過程中,需要設(shè)計外部存儲器接口時可以參考TI的TMS320XX DSP External Memory Interface (EMIF) Reference Guide。其中XX代表某一種具體的dsp處理器。

  1 EMIF接口

  EMIF接口具有很強的外設(shè)連接能力,可尋址空間一般比較大,數(shù)據(jù)吞吐較快。EMW接口支持的器件包括同步突發(fā)靜態(tài)RAM(SBSRAM)、同步動態(tài)RAM(SDRAM)、各種異步設(shè)備(SRAM、ROM和FIFO)以及同步FIFO。TMS320C672x的EMIF引腳結(jié)構(gòu)如圖1所示。

  其主要引腳功能如下:

  EM_A[x:0]:EMIF地址總線。當(dāng)與SDRAM器件連接時,地址總線主要為SDRAM提供行地址和列地址。當(dāng)與異步器件連接時,這些引腳與EM_BA引腳提供器件地址。

  EM_BA[1:0]:EMIF存儲區(qū)地址線。與SDRAM連接時,為SDRAM提供存儲區(qū)地址。與異步器件連接時,這些引腳與EM_A引腳共同提供器件地址。

  EM_WE_DQM[x:0]:低電平有效寫觸發(fā)或字節(jié)使能引腳。與SDRAM連接時,這些引腳與SDRAM的DQM引腳連接。在數(shù)據(jù)訪問中分別使能/禁止每一字節(jié)。與異步器件連接時,這些引腳可作為字節(jié)使能(DQM)或字節(jié)寫觸發(fā)(WE)。SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存儲器,同步是指 Memory工作需要同步時鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。

  EM_CS[0]和[2]:CS[0]為SDRAM器件低電平有效芯片使能引腳,當(dāng)訪問異步器件時此引腳失效,在完成異步存取后自動恢復(fù)其功能;CS[2]為低電平有效異步器件使能引腳,僅在訪問異步存儲器時有效。

  EM_RAS:低電平有效行地址選通引腳,與SDRAM的RAS引腳連接,用于向此器件發(fā)送命令。

  EM_CAS:低電平有效列地址選通引腳,與SDRAM的CAS引腳連接,用于向此器件發(fā)送命令。

  EM_CKE:時鐘使能引腳,與SDRAM的CKE連接,發(fā)出自刷新命令,使器件進(jìn)入自刷新模式。

  EM_CLK:SDRAM時鐘引腳,EMIF時鐘來自DSP的PLL控制器的SYSCLK3時鐘模塊。

  2 EMIF與SDRAM的設(shè)計

  這里以SDRAM(HY57V281620A)為例,說明EMIF和SDRAM的接口與配置,HY57V281620A是4 Bankx2MBx16 bit的SDRAM器件,可與TMS320C67 22 DSP無縫連接。圖2是TMS320C6722型DSP與HY57V281620A型SDRAM的電路連接。

  2.1 SDRAM的軟件配置

  在TMS320C6722的EMIF中有一組存儲器映射寄存器,通過設(shè)置這些寄存器便可完成對SDRAM的配置,包括配置寄存器SDCR、刷新控制寄存器SDRCR、時序寄存器SDTIMR和自刷新退出時序寄存器SDSRETR。具體的配置代碼如下:

  2.2 SDRAM的軟件操作

  根據(jù)上面軟件配置中IBANK和PAGESIZE字段的設(shè)置,圖3列出了C6722 EMIF連接16位4區(qū)256字頁面的SDRAM地址映射關(guān)系,其他系列地址映射關(guān)系參考TI資料。SDRAM讀/寫程序流程如圖4所示。

  EMIF控制SDRAM工作時,當(dāng)行地址選通引腳EM_RAS有效時,SDRAM通過A0~A11獲取行地址;當(dāng)列選通引腳EM_CAS有效時,SDRAM通過A0~A11獲取列地址。EMIF訪問的外部SDRAM空間地址映射為0x80000000-0x8FFFFFFF,由表1的地址映射知,如果要存儲16位的short int型數(shù)據(jù)到SDRAM,每次邏輯地址需要加2,如:*(short int*)(0x80000000+i*2)=short int i;存儲32位的int型數(shù)據(jù)每次地址需要加4,如:*(int*)(0x80000000+i*4)=int i。

  3 EMIF與Flash的設(shè)計

  當(dāng)DSP脫機運行時,系統(tǒng)上電或復(fù)位后,DSP系統(tǒng)自帶的Bootloader將一段存儲在外部的非易失性存儲器中的代碼搬移到內(nèi)部高速存儲單元中執(zhí)行。這樣既利用了外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源,又充分發(fā)揮了DSP內(nèi)部資源的效能。TMS320C672x系列DSP只支持一種硬啟動選項,即從內(nèi)部ROM地址0x00000000啟動,其他啟動選項由存儲于ROM的軟啟動器實現(xiàn)。軟啟動器使用CFGPIN0和CFGPIN1寄存器,這2個寄存器在復(fù)位時捕捉相關(guān)器件引腳的狀態(tài),以決定進(jìn)入那種啟動模式。ROM是只讀內(nèi)存(Read-Only Memory)的簡稱,是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經(jīng)常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中,資料并且不會因為電源關(guān)閉而消失。英文簡稱ROM。ROM所存數(shù)據(jù),一般是裝入整機前事先寫好的,整機工作過程中只能讀出,而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定 ,斷電后所存數(shù)據(jù)也不會改變;其結(jié)構(gòu)較簡單,讀出較方便,因而常用于存儲各種固定程序和數(shù)據(jù)。除少數(shù)品種的只讀存儲器(如字符發(fā)生器)可以通用之外,不同用戶所需只讀存儲器的內(nèi)容不同。為便于使 用和大批 量 生產(chǎn) ,進(jìn)一步發(fā)展了可編程只讀存儲器(PROM)、可擦可編程序只讀存儲器(EPROM)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)。例如早期的個人電腦如Apple II或IBM PC XT/AT的開機程序(操作系統(tǒng))或是其他各種微電腦系統(tǒng)中的韌體(Firmware)。

  3.1 Flash的硬件連接

  AM29LV800BB~90EC型Flash具有19根地址線,而TMS320C6722 EMIF只有14根地址線(EBA0~EBA1、EA0~EA11)。因此,EMIF與Flash連接時地址線不夠用,需要擴展高位地址線。

  3.1.1 GPIO擴展

  TMS320C672X MCASP通道的各功能引腳都可以作為通用的I/O接口,直接與Flash存儲器的高位地址線連接。硬件原理圖如圖5所示研。圖5中,任何在復(fù)位時可下拉的GPIO引腳都可用于控制Flash啟動器的地址線A。

  3.1.2 CPLD地址鎖存器擴展

  在CPID中設(shè)計一個地址鎖存器74L273,通過74L273的輸出口擴展7根高位地址線A11~A17,分別與Flash的A12~A18連接。EMW的EM_A[11]作為CPLD鎖存器的輸入選通端選,EMIT數(shù)據(jù)線作為鎖存器的輸入,如圖6所示。

  3.2 FLash的軟件配置

  在EMIF異步接口中,AICR是需要編程的寄存器。根據(jù)Flash器件的特性,配置如下:

  3.3 Flash的軟件操作

  TMS320C672x DSP的存儲器中EMIF訪問的外部異步器件Flash空間地址映射為0x90000000~0x9FFFFFFF之間。由于Flash數(shù)據(jù)總線寬度為16位,因此在硬件設(shè)計時選用半字尋址,即EMIF的BA連接Flash的A。訪問異步器件時TMS320C6722中內(nèi)部地址和EMIF地址引腳對應(yīng)如表1所示。

  Flash在讀操作中類似于普通的ROM,在寫操作中需要使用一些特殊命令字,按一定的順序編程,且可隨時編程,編程命令根據(jù)器件參考資料。對Flash的讀/寫流程如圖7所示。

  由表1知,對Flash進(jìn)行16位數(shù)據(jù)寫操作時每次偏移地址需要左移1位,即:*(short int*)(0x90000000+i*2)=shortint i://對Flash的i地址寫入16位數(shù)據(jù)i由于此Flash高位地址線為擴展的地址線,必然導(dǎo)致訪問Flash時地址不連續(xù)。每次只能連續(xù)訪問Flash內(nèi)部4 Kx16 Bit空間,即0x9000_0000~0x9000_1FFE。

  4 EMIF并行Flash自啟動

  4.1 Flash自啟動過程

  在實際應(yīng)用中通常把代碼和數(shù)據(jù)表存放在外部的非易失性存儲器Flash中。TMS320C672X系列DSP片上的Bootloader工具只能將1KB的代碼搬移到內(nèi)部RAM。但是在通常情況下,用戶應(yīng)用程序的大小都會超過1 KB,所以需要在外部Flash的前1 KB范圍內(nèi)預(yù)先存放一小段程序,待片上Bootloader工具把此段代碼搬移入內(nèi)部并開始執(zhí)行后,由此段代碼將Flash中剩余的用戶應(yīng)用程序搬移入內(nèi)部RAM中。Flash中前1 KB代碼為二級Bootloader。系統(tǒng)上電或復(fù)位時,DSP內(nèi)部固化的啟動代碼會自動將位于Flash地址空間(0x90000000~0x9FFFFFFF)開頭的1 KB代碼傳輸?shù)絉AM存儲空間,這就是引導(dǎo)。很明顯,引導(dǎo)的代碼并不能滿足絕大多數(shù)編程者對代碼長度的要求,因此就需要二次引導(dǎo)過程。二次引導(dǎo)是將DSP引導(dǎo)的1 KB代碼編寫成一個搬移程序,搬移程序?qū)⒂脩舻闹鞒绦虬嵋频礁咚賀AM中,并且搬移完成后自動跳轉(zhuǎn)至主程序入口處運行主程序。由于硬件設(shè)計中Flash的地址不連續(xù),圖8為使用二級Bootloader的流程圖。

  4.2 Flash的燒寫方法

  應(yīng)用程序和二次Boot編寫和編譯完成之后,便可使用TI公司提供的FlashBurn工具完成Flash燒寫,燒寫完成后需要重新上電或復(fù)位,便可實現(xiàn)自啟動。此FlashBurn工具雖然燒寫方法較為直觀,但是過程復(fù)雜,首先需要一個。out文件(FBTC)至DSP系統(tǒng)中,實現(xiàn)對Flash的操作;其次FlashBurn工具不能識別。out文件,只能接收。hex的十六進(jìn)制文件,必須將。out文件轉(zhuǎn)換為。

  因此,用戶可以自己根據(jù)Flash器件的操作方法編寫燒寫程序,避免文件格式轉(zhuǎn)換的繁瑣。首先把用戶應(yīng)用程序(包括二級Bootloader)編譯生成的。out文件轉(zhuǎn)載到DSP的RAM中,然后根據(jù)要求編寫Flash燒寫程序,把燒寫程序的。out文件裝載到DSP的另一塊區(qū)域(注意修改cmd文件中地址范圍,避免兩次裝載可能產(chǎn)生的地址覆蓋),執(zhí)行程序完成Flash的燒寫。

  5 結(jié)束語

  本文主要研究了TMS320C672x系列DSP EMIF接口的功能和使用方法,并針對SDRAM和Flash器件討論了EMIF的具體硬件接口設(shè)計和軟件配置;同時分析了TMS320C672x系列的自啟動過程,提出了兩種燒寫Flash的方法。


  

參考文獻(xiàn):

[1]. CPLD datasheet http://www.hbjingang.com/datasheet/CPLD_1136600.html.
[2]. ROM datasheet http://www.hbjingang.com/datasheet/ROM_1188413.html.
[3]. HY57V281620A datasheet http://www.hbjingang.com/datasheet/HY57V281620A_390393.html.
[4]. A11 datasheet http://www.hbjingang.com/datasheet/A11_1818106.html.
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[6]. A17 datasheet http://www.hbjingang.com/datasheet/A17_1819429.html.
[7]. A12 datasheet http://www.hbjingang.com/datasheet/A12_1818348.html.


關(guān)鍵詞:DSPEMEMI

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