關(guān)于分壓-自偏壓共源放大電路的仿真研究
出處:21IC 發(fā)布于:2011-08-08 15:02:12
引言
在由N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成的分壓-自偏壓共源放大電路中,由于所選用場(chǎng)效應(yīng)管的性能參數(shù)不同,在理論計(jì)算中要考慮多項(xiàng)因素而導(dǎo)致理論計(jì)算復(fù)雜、繁瑣,并且難以理解。如何利用功能強(qiáng)大的Multisim仿真軟件用形象、直觀(guān)的圖表詮釋難以理解的理論,顯得尤為重要。目前相關(guān)方面的研究很少,本文以某一型號(hào)N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成的分壓-自偏壓共源放大電路為例,進(jìn)行靜態(tài)、動(dòng)態(tài)和溫度特性分析,并且與理論計(jì)算結(jié)果對(duì)比,得出分壓-自偏壓共源放大電路的Multisim電路仿真分析方法。
1 分壓-自偏壓共源放大電路工作原理
由N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成的分壓-自偏壓共源極放大電路如圖1所示。輸入電壓Ui加在場(chǎng)效應(yīng)管Q1的柵極G和源極S之間,輸出電壓U。從漏極D和源極S之間得到。因?yàn)檩斎搿⑤敵龌芈返墓捕藶閳?chǎng)效應(yīng)管的源極S,所以稱(chēng)其為共源級(jí)放大電路。靜態(tài)時(shí),為了使場(chǎng)效應(yīng)管Q1能夠正常工作,必須在柵-源極之間加上大小適當(dāng)?shù)钠珘?,通常利用靜態(tài)漏極電流IDQ在源極電阻RS上產(chǎn)生的壓降來(lái)獲得靜態(tài)偏置電壓UGSQ=-IDQRS,稱(chēng)其為自給柵偏壓放大電路,簡(jiǎn)稱(chēng)自偏壓放大電路。同時(shí)柵極電壓也能由VDD經(jīng)過(guò)電阻R1,R2分壓后提供,即場(chǎng)效應(yīng)管的靜態(tài)偏置電壓UGSQ由分壓和自偏壓共同決定,UGSQ=VGQ-VSQ,因此稱(chēng)其為分壓-自偏壓共源放大電路。尤其對(duì)于增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,由于不能形成自偏壓,所以通常采用分壓-自偏壓共源放大電路形式。圖中柵極電阻RG用于提高電路的輸入電阻Ri,源極電阻RS既能利用IDQ在其上的壓降為柵極提供偏壓UGSQ,也有利于穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn),旁路電容C3起到消除RS對(duì)交流信號(hào)的衰減。當(dāng)UGS大于場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)啟電壓UT,并且漏源極電壓UDS>VGS-UT時(shí),N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū),實(shí)現(xiàn)放大作用。

2 靜態(tài)分析
圖1中所選用的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q1的性能參數(shù)如下:
跨導(dǎo)gm=0.42 ms,開(kāi)啟電壓UT=4 V,UGS=2UT時(shí),漏極電流IDO=0.45 mA。其他元件參數(shù)如圖1所示。根據(jù)圖1所示輸入回路可得到:

使用Multisim仿真軟件選擇信號(hào)源V1、直流電壓源VDD、場(chǎng)效應(yīng)管Q1、電阻、電容、模擬示波器等創(chuàng)建分壓-自偏壓共源放大電路仿真分析電路,如圖2所示。

選擇Simulate菜單中的Analysis命令,然后選擇DC Operation Point子命令,在彈出的對(duì)話(huà)框中的Output Variables選項(xiàng)卡中選擇1,3,4節(jié)點(diǎn)即場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G、漏極D、源極S作為仿真分析節(jié)點(diǎn),單擊Simulate按鈕,得到分析結(jié)果,如圖3所示。


可見(jiàn),靜態(tài)分析仿真的分析結(jié)果與理論計(jì)算數(shù)值非常接近。
3 動(dòng)態(tài)分析

使用Multisim仿真軟件,選擇Sireulate菜單中的Analysis命令,然后選擇AC Operation Point子命令,單擊Simulate按鈕,得到幅頻特性分析和相頻特性分析結(jié)果,如圖4,圖5所示。由圖4,圖5可見(jiàn),輸入信號(hào)頻率在10 Hz~1 MHz范圍內(nèi),N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路的幅頻特性和相頻特性均穩(wěn)定、工作正常。由圖4可見(jiàn),Au(dB)≈-6.8 dB,與理論計(jì)算值相符。

使用MuItisim仿真軟件,選擇虛擬雙蹤示波器Oscilloscope,CH1,CH2信道分別接入電路輸入、輸出信號(hào),示波器運(yùn)行后顯示輸入、輸出波形,如圖6所示。由圖6可見(jiàn),輸出波形電壓幅值Votop=42.041 mV,Vitop=19.250 mV,電壓放大倍數(shù)
,與理論計(jì)算值-2.10相差很小??梢?jiàn),動(dòng)態(tài)分析仿真的分析結(jié)果與理論計(jì)算數(shù)值基本相符,仿真圖形清晰明了、易于理解。

4 溫度特性分析
使用Multisim仿真軟件,選擇Simulate/Analysis/Temperature Sweep Analysis/Transient Analysis命令,環(huán)境溫度分別設(shè)置為0℃,60℃,120℃,180℃,觀(guān)察輸出電壓的瞬態(tài)變化,如圖7所示。由圖7可見(jiàn),當(dāng)環(huán)境溫度分別為0℃,60℃,120℃時(shí),輸出波形不隨溫度改變;當(dāng)環(huán)境溫度為180℃時(shí),輸出波形幅度有微小改變。這說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管的性能受溫度的影響很小,只有在環(huán)境溫度非常高時(shí)對(duì)其性能有微小的影響。
5 結(jié)語(yǔ)
通過(guò)從理論和實(shí)驗(yàn)仿真兩個(gè)方面對(duì)N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成的分壓-自偏壓共源放大電路進(jìn)行分析和論證,證明了理論分析的正確性及實(shí)驗(yàn)仿真的可靠性。針對(duì)不同性能參數(shù)的元件,通過(guò)運(yùn)用Multisim軟件中龐大的元器件庫(kù)和虛擬儀器儀表以及各種完善的分析方法,用仿真數(shù)據(jù)及曲線(xiàn)直觀(guān)地描述分壓-自偏壓共源放大電路的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)及溫度特性,總結(jié)出研究N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成的分壓-自偏壓共源放大電路的方法,其形象、直觀(guān)的圖表對(duì)電路理論的正確理解具有一定的促進(jìn)作用。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀(guān)點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類(lèi)作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 數(shù)字電源控制與傳統(tǒng)模擬控制的深度對(duì)比2026/2/2 11:06:56
- 模擬信號(hào)調(diào)理電路技術(shù)設(shè)計(jì)與選型運(yùn)維指南2025/12/30 10:08:16
- 運(yùn)算放大器壓擺率的核心要點(diǎn)2025/9/5 16:27:55
- 深度剖析放大器穩(wěn)定系數(shù) K 與 Mu 的差異2025/9/2 16:44:05
- 什么是運(yùn)算放大器失調(diào)電流2025/9/1 17:01:22
- 編碼器的工作原理及作用1
- 超強(qiáng)整理!PCB設(shè)計(jì)之電流與線(xiàn)寬的關(guān)系2
- 三星(SAMSUNG)貼片電容規(guī)格對(duì)照表3
- 電腦藍(lán)屏代碼大全4
- 國(guó)標(biāo)委發(fā)布《電動(dòng)汽車(chē)安全要求第3部分:人員觸電防護(hù)》第1號(hào)修改單5
- 通俗易懂談上拉電阻與下拉電阻6
- 繼電器的工作原理以及驅(qū)動(dòng)電路7
- 電容單位8
- 跟我學(xué)51單片機(jī)(三):?jiǎn)纹瑱C(jī)串口通信實(shí)例9
- 一種三極管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)10
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)中的EMI問(wèn)題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見(jiàn)問(wèn)題分析









