存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運行結(jié)果和終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機(jī)才有記憶功能，才能保證正常工作。按用途存儲器可分為主存儲器（內(nèi)存）和輔助存儲器（外存），也有分為外部存儲器和內(nèi)部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等，能長期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲部件，用來存放當(dāng)前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序，但僅用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，關(guān)閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會丟失。，DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競爭力的成本。可與以前的SDRAM技術(shù)相比，DDRx存儲器需要一個更復(fù)雜的電源管理新架構(gòu)。本文探討了DDR電源管理架構(gòu)的理想選擇。

　　雙PWM控制器

　　現(xiàn)在市面上有各種DDR電源IC，如集成MOSFET的ML6553/4/5、適用于大功率系統(tǒng)的FAN5066和FAN5068、DDRx和先進(jìn)配置及電源接口（ACPI）的組合等。另一種器件FAN5236是專門為DDRx存儲器系統(tǒng)的一體化供電要求而設(shè)計的器件，這個單片IC集成了一個VDDQ開關(guān)控制器，一個VTT開關(guān)控制器和一個VREF線性緩沖器。

　　VDDQ開關(guān)可以輸出5~24V范圍內(nèi)的任何電壓，但VTT的開關(guān)則不同，它由VDDQ電源供電，并與VDDQ開關(guān)同步動作。這兩個開關(guān)的輸出都可在0。9~5。5V范圍內(nèi)變化。25V（DDR）或0。9V（DDR2），所以在VTT和VDDQ之間存在一定程度的功率循環(huán)。將VTT與VDDQ分離，就可以將其間的功率循環(huán)以及由此產(chǎn)生的損耗降到。VTT開關(guān)在待機(jī)模式下也可以關(guān)閉。

　　雙PWM控制器的應(yīng)用

　　圖2中給出了一個連續(xù)電流為4A、峰值電流為6A的VDDQ典型應(yīng)用，表中也列出了其材料清單。請注意，在圖2中，外部的矩形代表FAN5236雙脈寬調(diào)制器（PWM），其中標(biāo)有PWM1和PWM2的小矩形代表IC內(nèi)部的兩個轉(zhuǎn)換開關(guān)。另外還需要注意的是，在表中FAN5236被稱為DDR控制器，元件名為U1?？梢院苋菀椎貙@個電路進(jìn)行修改，通過分壓器R5/R6，將VDDQ設(shè)置為1.8V，將VTT設(shè)置到0.9V，以適用DDR2應(yīng)用。

　　設(shè)置輸出電壓FAN5236PWM控制器的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓為0。9V，其輸出由分壓器分壓到VSEN腳（R5和R6），因此輸出電壓為：0。9V/R6=（VDDQ×0。9V）/R5。