閃速存儲(chǔ)器在寫(xiě)人數(shù)據(jù)時(shí)需加12V的電源電壓，閃速存儲(chǔ)器是目前取代傳統(tǒng)的EPROM和EEPROM的主要非揮發(fā)性（性）的存儲(chǔ)器，目前大部分586主板的BIOS都使用閃速存儲(chǔ)器?？刂菩盘?hào)來(lái)自單片機(jī)。當(dāng)控制信號(hào)為“L”（低電平）時(shí)，電源電路的輸出端向閃存輸出11.8V的電源電壓。當(dāng)控制信號(hào)為“H”（高電平）時(shí)。閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）是一類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息；而諸如DRAM、SRAM這類(lèi)易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)供電電源關(guān)閉時(shí)片內(nèi)信息隨即丟失。相對(duì)傳統(tǒng)的EEPROM芯片，這種芯片可以用電氣的方法快速地擦寫(xiě)。由于快擦寫(xiě)存儲(chǔ)器不需要存儲(chǔ)電容器，故其集成度更高，制造成本低于DRAM.它使用方便，既具有SRAM讀寫(xiě)的靈活性和較快的訪問(wèn)速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點(diǎn)，所以快擦寫(xiě)存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展迅速。

　　電源電路的輸出電壓為零。

　　晶體三極管Tr1和Tr2均工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)。

　　二極管D1和D2是為了防止出現(xiàn)反向電流而接入的整流二極管。當(dāng)控制信號(hào)為高電平（+5V）時(shí)。集成電路IC1的第（3）腳（ADJ）電壓大于Vref（1.26v）。此時(shí)Tr1受IC1第（1）腳電壓的控制處于截止?fàn)顟B(tài)，于是輸出電壓為零。而Tr2則受高電平的控制信號(hào)控制處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)。將閃存寫(xiě)入電源的連線接地，防止閃存因噪聲電壓出現(xiàn)誤動(dòng)作。當(dāng)控制信號(hào)為低電平（0V）時(shí)。IC1的第（3）腳電壓小于1.26V，Tr1變?yōu)閷?dǎo)通。

　　Tr2則轉(zhuǎn)為截止，于是電源的輸出端輸出11.8V的電壓。電路的輸出電流為200mA。

　　閃速存儲(chǔ)器從1987年問(wèn)世，歷經(jīng)短短的10年時(shí)間，存儲(chǔ)容量已從256kb發(fā)展到128Mb，提高了500倍；工藝水平從2um，經(jīng)過(guò)1um、0.6um、0.4um、發(fā)展到0.25um，縮小到1/8；單元面積從64um2縮小到0.4um2，其發(fā)展速度是十分驚人的。

　　我國(guó)閃速存儲(chǔ)器的研究剛剛起步，目前仍停留在預(yù)研階段，正在進(jìn)行0.8um單項(xiàng)工藝實(shí)驗(yàn)和存儲(chǔ)單元的研究，應(yīng)加大這方面的投入，縮小與國(guó)外的差距。