閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個(gè)人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等

　　優(yōu)點(diǎn)

　　1.閃存的體積小。并不是說(shuō)閃存的集成度就一定會(huì)高。微硬盤做的這么大一塊主要原因就是微硬盤不能做的小過(guò)閃存，并不代表微硬盤的集成度就不高。

　　2.相對(duì)于硬盤來(lái)說(shuō)閃存結(jié)構(gòu)不怕震，更抗摔。硬盤怕的就是強(qiáng)烈震動(dòng)。雖然我們使用的時(shí)候可以很小心，但老虎也有打盹的時(shí)候，不怕一萬(wàn)就怕萬(wàn)一。

　　3.閃存可以提供更快的數(shù)據(jù)讀取速度，硬盤則受到轉(zhuǎn)速的限制 。

　　4.質(zhì)量輕。

　　相對(duì)與其它非易失性存儲(chǔ)器，閃存由于下面四種原因更加常用：

　　健壯性

　　可擦性

　　可重復(fù)擦寫

　　成本低

　　閃存存儲(chǔ)器可以與共享其它閃存設(shè)備共享總線，甚至與其它種類的外部存儲(chǔ)器，如外部SRAM或SDRAM。

　　缺點(diǎn)

　　閃存的主要缺點(diǎn)是它的寫入速度。由于你只能通過(guò)專用的命令寫入閃存設(shè)備，每次閃存寫入都需要多個(gè)總線轉(zhuǎn)換操作。更進(jìn)一步說(shuō)，一旦送出寫入命令，實(shí)際的寫入時(shí)間可能達(dá)到幾微秒。依據(jù)時(shí)鐘速度，實(shí)際寫入時(shí)間可達(dá)幾百個(gè)時(shí)鐘周期。由于扇區(qū)擦除受到約束，如果你需要改變閃存中的一個(gè)字?jǐn)?shù)據(jù)，你必須完成下面步驟：

　　1． 復(fù)制整個(gè)扇區(qū)的內(nèi)容到暫時(shí)的緩沖區(qū)

　　2． 擦除整個(gè)扇區(qū)

　　3． 改變?cè)诰彌_區(qū)中的單個(gè)字?jǐn)?shù)據(jù)

　　4． 緩沖區(qū)內(nèi)容寫回到閃存

　　這個(gè)流程導(dǎo)致閃存存儲(chǔ)器設(shè)備的寫入速度較慢。由于其糟糕的寫入速度，閃存通常只用于存儲(chǔ)必須斷電后保持的數(shù)據(jù)。

　　應(yīng)用場(chǎng)合

　　閃存存儲(chǔ)器適用于儲(chǔ)存任何你希望在斷電后保持的數(shù)據(jù)。常見(jiàn)的閃存應(yīng)用與存儲(chǔ)下面項(xiàng)目：

　　微處理器的啟動(dòng)代碼

　　微處理器在系統(tǒng)開(kāi)始時(shí)復(fù)制到RAM中的應(yīng)用程序代碼

　　恒定的系統(tǒng)設(shè)置，例如：網(wǎng)卡MAC地址、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、用戶信息

　　FPGA參數(shù)圖像

　　多媒體（音頻、視頻）

　　不適于應(yīng)用場(chǎng)合

　　由于閃存存儲(chǔ)器是寫入速度較慢，不應(yīng)使用閃存存儲(chǔ)不需要斷電后保持的數(shù)據(jù)。如果可以使用易失性存儲(chǔ)器時(shí)可以選用SRAM。使用閃存存儲(chǔ)器的系統(tǒng)通常也會(huì)同時(shí)使用SRAM。

　　一個(gè)很不適于閃存的應(yīng)用場(chǎng)合是在微處理器的應(yīng)用程序代碼的直接執(zhí)行。如果這些代碼的可寫部分被部署在閃存中，這些軟件根本不會(huì)工作，因?yàn)殚W存不使用專用的寫入命令便不能夠?qū)懭搿?yīng)用程序代碼儲(chǔ)存在閃存中的系統(tǒng)通常會(huì)在執(zhí)行之前先將這些應(yīng)用程序復(fù)制到SRAM中。

　　閃存的種類

　　閃存設(shè)備有多種，常用的種類如下：

　　CFI閃存 – 這是常用的閃存存儲(chǔ)器種類。它使用并行接口。CFI代表常見(jiàn)閃存接口，這是所有CFI閃存設(shè)備都固有的一種標(biāo)準(zhǔn)。SOPC Builder和Nios II processor都有對(duì)CFI閃存的內(nèi)置支持。

　　串行閃存 – 這種閃存使用串行接口以節(jié)省Pin腳和板上空間。由于很多串行閃存設(shè)備都有自己專用的接口協(xié)議，是先通讀串行閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)表然后進(jìn)行選擇。Altera ECOS配置設(shè)備便是一種串行閃存。

　　NAND閃存 – NAND閃存是近才興起的一種新型的閃存存儲(chǔ)器。NAND閃存可以達(dá)到很高的數(shù)據(jù)容量，單個(gè)設(shè)備可高達(dá)數(shù)GB。相對(duì)于CFI閃存，NAND閃存的接口稍有變復(fù)雜。它需要一個(gè)專用的控制器或是智能的低級(jí)驅(qū)動(dòng)軟件。你可以在Altera FPGA中使用NAND閃存，但是Altera不會(huì)提供任何內(nèi)置的支持。