影響接地電阻測(cè)量結(jié)果的因素分析
出處:ljk 發(fā)布于:2011-02-17 18:29:00
文章較系統(tǒng)地分析了測(cè)量電極位置、土壤電阻率不均勻、引線間互感、地下附近金屬物體、電壓表內(nèi)阻、大地趨膚效應(yīng)、測(cè)量電極自身物理特性和干擾信號(hào)等多種因素對(duì)接地電阻測(cè)量結(jié)果的影響,對(duì)正確測(cè)量接地電阻值有一定的指導(dǎo)意義。
接地電阻值是接地系統(tǒng)的一項(xiàng)重要技術(shù)指標(biāo),是衡量接地系統(tǒng)的有效性、安全性以及鑒定接地系統(tǒng)是否符合設(shè)計(jì)要求的重要參數(shù)?,F(xiàn)行規(guī)程中所推薦的測(cè)量方法大都是針對(duì)均勻土壤、不考慮測(cè)量引線間互感、忽略電壓表內(nèi)阻和接地極形狀為半球狀等理想情況。但在實(shí)際測(cè)量過程中,接地電阻結(jié)果往往受多種因素共同影響,以致造成接地電阻測(cè)量值與真實(shí)值之間存在一定差異。本文較系統(tǒng)地歸納分析接地電阻測(cè)量結(jié)果與多種影響因素之間的關(guān)系,對(duì)正確測(cè)量接地電阻值有一定的指導(dǎo)意義。
測(cè)量電極位置
在使用三極法測(cè)量接地電阻中,存在一個(gè)可得出待測(cè)接地極的真實(shí)接地電阻值的電位極的位置,這個(gè)位置被稱為電位極補(bǔ)償點(diǎn)。所謂補(bǔ)償,即補(bǔ)償由于電流極靠近接地極系統(tǒng)所導(dǎo)致的接地阻抗的降低。
以直線補(bǔ)償法和三角補(bǔ)償法測(cè)量接地電阻為例,如圖1所示,當(dāng)E點(diǎn)和C點(diǎn)位置固定時(shí),粗實(shí)線為電壓極C補(bǔ)償點(diǎn)位置軌跡,只要電壓極C位于該曲線上均可測(cè)得真實(shí)接地電阻值。進(jìn)而可得出:
1)若電壓極 點(diǎn)位于曲線外部時(shí),所測(cè)接地電阻值小于真實(shí)接地電阻值。
2)若電壓極P點(diǎn)位于曲線上時(shí),所測(cè)接地電阻值等于真實(shí)接地電阻值。
3)若電壓極P點(diǎn)位于曲線內(nèi)部時(shí),所測(cè)接地電阻值大于真實(shí)接地電阻值。

圖1 電壓極P補(bǔ)償點(diǎn)移動(dòng)軌跡
全文PDF:
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 什么是氫氧燃料電池,氫氧燃料電池的知識(shí)介紹2025/8/29 16:58:56
- SQL核心知識(shí)點(diǎn)總結(jié)2025/8/11 16:51:36
- 等電位端子箱是什么_等電位端子箱的作用2025/8/1 11:36:41
- 基于PID控制和重復(fù)控制的復(fù)合控制策略2025/7/29 16:58:24
- 什么是樹莓派?一文快速了解樹莓派基礎(chǔ)知識(shí)2025/6/18 16:30:52
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









