一種基于噪聲抵消的0.5μmCMOS 寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)
出處:thw 發(fā)布于:2011-02-11 17:12:17
摘要:設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于DRM(Digital Radio Mondiale,數(shù)字廣播)和DAB(Digital Audio Broadcasting,數(shù)字音頻廣播)的寬帶低噪聲放大器。該放大器采用噪聲抵消結(jié)構(gòu),抵消輸入匹配器件在輸出端所產(chǎn)生的熱噪聲和閃爍噪聲,使得輸入阻抗匹配和噪聲優(yōu)化去耦。采用華潤(rùn)上華CSMC 0.5μm CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)。測(cè)試結(jié)果表明,3dB 帶寬為300kHz~555MHz,增益為16.2dB,S11 和S22 小于-3.6dB,噪聲系數(shù)為3.8dB,輸入?yún)⒖嫉?dB 增益壓縮點(diǎn)為0.5dBm,在5V 電源電壓情況下功耗為97.5mW,芯片面積為0.49mm2。
1 引言
近年來(lái)數(shù)字廣播研究取得了巨大的進(jìn)展,DRM(Digital Radio Mondiale,數(shù)字廣播)和DAB(Digital Audio Broadcasting,數(shù)字音頻廣播)成為不同頻段的數(shù)字廣播標(biāo)準(zhǔn),DRM 覆蓋頻段范圍為148kHz~27MHz,其信道帶寬為20kHz,能夠提供范圍內(nèi)音頻業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)。DAB 頻段覆蓋范圍為174~240MHz 和1452 ~1492MHz,其信道帶寬為1.536MHz,能夠提供音頻、數(shù)據(jù)和圖像業(yè)務(wù)。
目前大多數(shù)DRM/DAB 接收機(jī)調(diào)諧器芯片采用的是原有模擬AM/FM 調(diào)諧器芯片。在靈敏度、噪聲和線性度等指標(biāo)上不能完全滿足DRM/DAB 標(biāo)準(zhǔn),目前尚未有一款DRM/DAB 多標(biāo)準(zhǔn)專用調(diào)諧器芯片問(wèn)世。本文主要針對(duì)DRM 全頻段和DAB 的174~240MHz 頻段設(shè)計(jì)一種應(yīng)用于DRM/DAB 調(diào)諧器的寬帶低噪聲放大器。接收機(jī)結(jié)構(gòu)采用兩次變頻低中頻結(jié)構(gòu),中頻為35.452MHz,第二中頻為173kHz。
低噪聲放大器的性能參數(shù)的好壞決定整個(gè)調(diào)諧器系統(tǒng)的水平,目前常常采用的寬帶低噪聲放大器結(jié)構(gòu)有電阻反饋共源共柵極結(jié)構(gòu)、共柵結(jié)構(gòu)、片外無(wú)源LC 網(wǎng)絡(luò)匹配共源共柵結(jié)構(gòu)等,然而采用上述結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器難以解決輸入阻抗匹配和噪聲優(yōu)化去耦的問(wèn)題。本文針對(duì)DRM/DAB 調(diào)諧器應(yīng)用要求,設(shè)計(jì)了一款寬帶低噪聲放大器,該電路采用噪聲抵消技術(shù)消除輸入MOS 管的噪聲貢獻(xiàn),使得在整個(gè)工作頻率范圍內(nèi)滿足電壓增益、阻抗匹配、噪聲系數(shù)、線性度等指標(biāo)要求,同時(shí)該電路不采用片外和片內(nèi)電感,大大減小了芯片和調(diào)諧器系統(tǒng)面積。
2 噪聲抵消原理和電路設(shè)計(jì)
2.1 噪聲抵消原理
寬帶低噪聲放大器采用電阻反饋共源結(jié)構(gòu),為了降低輸入級(jí)引入的噪聲,采用了噪聲抵消技術(shù),其原理圖如圖2 所示。該電路的主要目的是抑制輸入級(jí)M11 和M12 所引入的噪聲??紤]到DRM/DAB的頻段覆蓋范圍,由于其低頻的應(yīng)用背景,MOS 管M11 和M12 所產(chǎn)生的噪聲由溝道熱噪聲和閃爍噪聲(1/f 噪聲)組成,而忽略其他噪聲模型。因此,M11 和M12 產(chǎn)生的噪聲可以用等效噪聲電流源來(lái)表示:


圖1 噪聲抵消結(jié)構(gòu)原理圖
全文PDF:
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 數(shù)字電源控制與傳統(tǒng)模擬控制的深度對(duì)比2026/2/2 11:06:56
- 模擬信號(hào)調(diào)理電路技術(shù)設(shè)計(jì)與選型運(yùn)維指南2025/12/30 10:08:16
- 運(yùn)算放大器壓擺率的核心要點(diǎn)2025/9/5 16:27:55
- 深度剖析放大器穩(wěn)定系數(shù) K 與 Mu 的差異2025/9/2 16:44:05
- 什么是運(yùn)算放大器失調(diào)電流2025/9/1 17:01:22
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)中的EMI問(wèn)題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見(jiàn)問(wèn)題分析









