Intel 公司和Micron Technology公司宣布推出NAND閃存技術(shù)新基準 flash technology –-款20納米、128Gb的多層單元(MLC)器件。這兩家公司還宣布其64Gb、20納米NAND器件已投入生產(chǎn)，進一步提高了該兩家公司在NAND制程技術(shù)上的領(lǐng)導地位。

　　采用Intel和Micron合資的IM閃存技術(shù) (IMFT) 公司開發(fā)的新款20納米、 128Gb單片器件是業(yè)界只能存儲1兆兆位(TB)數(shù)據(jù)的器件，在其僅僅指尖大小的空間內(nèi)封裝了8片裸片。新款20納米、128Gb MLC NAND器件的存儲容量和性能是該兩家公司現(xiàn)有20納米、 64Gb NAND器件的二倍。該 128Gb器件滿足高速ONFI 3.0規(guī)范的要求，可達到333兆/秒(MT/s)的傳輸率，為客戶提供一個更具成本效益的超薄，流線造型優(yōu)美產(chǎn)品設計，例如平板電腦、智能手機和大容量 固態(tài)硬盤(SSD)等。

　　它們在20納米制程技術(shù)上取得成功的關(guān)鍵是由于采用了一種創(chuàng)新的單元結(jié)構(gòu)，其比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)能容納更大規(guī)模的單元。它們的20納米NAND器件采用 一種平面式單元結(jié)構(gòu)--這在本行業(yè)是首次采用--以克服與先進制程技術(shù)伴隨而來的內(nèi)在困難，這使得其性能和可靠性與與上一代產(chǎn)品媲美。由于在NAND產(chǎn)品 上集成了Hi-K/金屬柵棧，這種平面式單元結(jié)構(gòu)成功地突破了標準NAND浮動柵的比例瓶頸