制作40W晶體管Hi-Fi功率放大器的原理
出處:chunyang 發(fā)布于:2010-09-03 11:09:56
該放大器在較高的輸出下能保持高保真的素質(zhì),可以對4Ω/8Ω的負載提供2×73/44瓦的輸出功率,失調(diào)電壓小于土40mV,輸入阻抗為100kΩ,諧波失真小于0.015%,互調(diào)失真小于0.02%,頻率范圍為10Hz一30kHz(土2dB),信噪比在100mW輸出時大于72dB。
電路原理
這里只給出其中一個聲道的原理和制作過程.圖l是其電路原理,輸入信號由晶體管T1的基極引入,T1和T2構(gòu)成差分對,T3作為T1、T2的恒流源.T1的輸出直接用于驅(qū)動T4,T4和T5構(gòu)成串聯(lián)管對,T4、T5的恒流源由T6、T7構(gòu)成。

晶體管T8和T9用作二極管,它們的作用是對晶體管T10和T1l進行溫度補償.T10、T12、T14和T11、T13、T15分別構(gòu)成兩組三重復(fù)合晶體管。這樣,一旦T10或T11的VBE有微小變化,即可引起輸出電流很大的變化.由于輸出使用了復(fù)合晶體管,所以通過T4、T5的電流可維持在較小的值(約6mA)。
線圈11的作用是防止當輸出接上容性負載時引起的對放大器的干擾.輸出至喇叭間串接了一個保險絲,一但喇叭有承受直流壓降,保險絲就會熔斷以保護喇叭。放大器的增益由(R7+R8)/R8決定,這里約為22。電路使用雙電源供電。
首先焊接電阻和電容,然后焊接晶體管,注意T12和T13應(yīng)使用合適的散熱片.L1由20# 標準線在電阻R20上繞20圈而制成。
安裝完畢,檢查無誤后,開始調(diào)試,先將VRl置于值位置,打開電源開關(guān),然后接入一個跨接在任意一只0.33Q電阻上的毫伏表,調(diào)節(jié)VRl至毫伏表_ER示為16mV,這表示50mA的電流。
接入聲源,調(diào)節(jié)聲源電平控制,使其輸出為2W,在放大器的輸出端接一個假負載(不接喇叭),讓放大器工作六小時,檢查各晶體管,不應(yīng)過熱,功率管可以稍微燙一些。
版權(quán)與免責聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負版權(quán)等法律責任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 數(shù)字電源控制與傳統(tǒng)模擬控制的深度對比2026/2/2 11:06:56
- 模擬信號調(diào)理電路技術(shù)設(shè)計與選型運維指南2025/12/30 10:08:16
- 運算放大器壓擺率的核心要點2025/9/5 16:27:55
- 深度剖析放大器穩(wěn)定系數(shù) K 與 Mu 的差異2025/9/2 16:44:05
- 什么是運算放大器失調(diào)電流2025/9/1 17:01:22
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計核心實操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護設(shè)計
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計與干擾抑制核心實操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計要點
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析









