Panasonic電工PhotoM0S M0SFET的控制電路Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率M0SFET，是作為微小模擬信號(hào)用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴(kuò)展系列9如通用型的GU型、高頻型的RF型。

　　上次介紹了PhotoMOS的概要。此次將介紹內(nèi)置在PhotoM0S中構(gòu)成控制翹路的獨(dú)特的光電元件的特點(diǎn)、構(gòu)造、布線等。

　　FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路

     圖1 是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路。在該電路中由于輸出元件的功率MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)型元件，因此利用光電二極管陣列（P.D.A）所供給的電壓使柵極容量充電，致使柵極電壓上升至接通電壓（閾值），從而使MOSFET輸出光電耦合器動(dòng)作。

　　然而，要使MOSFET輸出光電耦合器復(fù)位，則需要做與上述動(dòng)作相反的工作，即讓柵極內(nèi)充電的電荷盡量快速地放電。在圖1所示的電路中，由于復(fù)位時(shí)問(wèn)過(guò)長(zhǎng)9故不能作為MOSFET輸出光電耦合器使用。

　　PhotoMOS利用圖2所示的內(nèi)置于光電元件的控制電路來(lái)解決這些問(wèn)題。該控制電路為實(shí)觀動(dòng)作時(shí)間與復(fù)位時(shí)間保持平衡的良好的轉(zhuǎn)換特性，以及輸入LED電流的良好的靈敏度特性發(fā)揮著關(guān)鍵的作用。

     光電元件內(nèi)的控制電路示例

     關(guān)于光電元件內(nèi)部所內(nèi)置的控制電路9如圖3的（a）～（c）所示，迄今為止提出了以下若干種電路。下面將簡(jiǎn)單地介紹這些電路。

　　（a）的控制電路

     （a）的電路圖是基本的電路，我們?yōu)榱思涌鞌嚅_時(shí)間，使輸出MOS 的柵極電荷在斷開時(shí)放電，因此在柵極·源極之間連接固定電阻。但是，在接通電路時(shí)歲為了使輸出MOSFET柵極容量得到充電，便用了光電二極管陣列（P.D.A），其產(chǎn)生的光電流在通過(guò)該電阻時(shí)會(huì)發(fā)生漏電，從而導(dǎo)致接通時(shí)間變長(zhǎng)。

　　另外9還存在以下缺點(diǎn)：如圖4所示，相對(duì)于輸入電流的變化，輸出電流也平緩地發(fā)生變化，困此轉(zhuǎn)換元件所要求的速動(dòng)性會(huì)變差，另外因溫度變化所引起的特性變動(dòng)也較大。

　　（b）的控制電路

     該電路的速動(dòng)性要比（a）電路好，但是，由于插入在輸出MOS柵極·源極之間的晶體管為常開型，因此抗外來(lái)干擾性較差。

　　（c）的控制電路。

　　作為放電電路，該電路使用常閉型元件，因此斷開時(shí)輸出MOS Pf：電荷會(huì)急速放電。另外接通時(shí)，該元件被第二光電二極管陣列（P.D.A）偏壓，形成開路狀態(tài)，從而使光電二極管陣列（P.D.A）所產(chǎn)生的光電流被高效快速地傳導(dǎo)至輸出MOS的柵極，因此與（a）的電路相比，接通時(shí)間就變短了。

　　另外，利用該常閉型元件還可大幅度地改善速動(dòng)性。但與此同時(shí)該控制電路必須具備二個(gè)光電二極管陣列。