Ramtron International公司宣布推出新款的平行F-RAM內(nèi)存FM14C88，它可滿足磁盤陣列(RAID)儲(chǔ)存服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡(HBA card)等應(yīng)用需求。

　　與nvSRAM相較，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快，工作電壓更低。FM14C88的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速存取、無延遲寫入、幾乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗等特點(diǎn)，是取代BBSRAM (電池供電的SRAM)或非揮發(fā)性SRAM (nvSRAM)等內(nèi)存的理想方案。

　　FM14C88是一款采用32K×8配置的標(biāo)準(zhǔn)平行非揮發(fā)性鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存(F-RAM)，讀寫作業(yè)與標(biāo)準(zhǔn)SRAM相似，能夠在斷電后保存資料，并提供超過635年(55℃)的資料保存能力，避免了BBSRAM (電池供電的SRAM)或非揮發(fā)性SRAM (nvSRAM)方案中電池、電容器的不可靠性、高成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問題。F-RAM具有寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數(shù)(寫入次數(shù)大約為1014次)等特點(diǎn)，使其成為RAID儲(chǔ)存服務(wù)器及產(chǎn)業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用的理想選擇。

　　FM14C88在系統(tǒng)內(nèi)的工作方式與其它SRAM組件類似，可以當(dāng)作標(biāo)準(zhǔn)SRAM的兼容替代組件。只需用芯片的使能接腳或改變地址，就可進(jìn)行讀寫作業(yè)。由于F-RAM內(nèi)存采用獨(dú)特的鐵電內(nèi)存制程，具有非揮發(fā)性的特點(diǎn)，所以非常適合需要頻繁或快速寫入資料的非揮發(fā)性儲(chǔ)存應(yīng)用。FM14C88可在整個(gè)工業(yè)環(huán)境溫度范圍(-40℃至+85℃)內(nèi)工作。