一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法

　　半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、pin型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：

　　部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管

　　第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：a-n型鍺材料、b-p型鍺材料、c-n型硅材料、d-p型硅材料。表示三極管時(shí)：a-pnp型鍺材料、b-npn型鍺材料、c-pnp型硅材料、d-npn型硅材料。

　　第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。p-普通管、v-微波管、w-穩(wěn)壓管、c-參量管、z-整流管、l-整流堆、s-隧道管、n-阻尼管、u-光電器件、k-開(kāi)關(guān)管、x-低頻小功率管(f<3mhz,pc<1w)、g-高頻小功率管（f>3mhz,pc<1w)、d-低頻大功率管（f<3mhz,pc>1w)、a-高頻大功率管（f>3mhz,pc>1w)、t-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、y-體效應(yīng)器件、b-雪崩管、j-階躍恢復(fù)管、cs-場(chǎng)效應(yīng)管、bt-半導(dǎo)體特殊器件、fh-復(fù)合管、pin-pin型管、jg-激光器件。

　　第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)

　　第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)

　　例如：3dg18表示npn型硅材料高頻三極管

　　二、日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法

　　日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下：

　　部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類(lèi)型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類(lèi)推。

　　第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)jeia注冊(cè)標(biāo)志。s-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)jeia注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。

　　第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類(lèi)型。a-pnp型高頻管、b-pnp型低頻管、c-npn型高頻管、d-npn型低頻管、f-p控制極可控硅、g-n控制極可控硅、h-n基極單結(jié)晶體管、j-p溝道場(chǎng)效應(yīng)管、k-n溝道場(chǎng)效應(yīng)管、m-雙向可控硅。

　　第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)jeia登記的順序號(hào)。兩位以上的整數(shù)-從“11”開(kāi)始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)jeia登記的順序號(hào)；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào)；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。

　　第五部分：用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。a、b、c、d、e、f表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。

　　三、美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法

　　美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：

　　部分：用符號(hào)表示器件用途的類(lèi)型。jan-軍級(jí)、jantx-特軍級(jí)、jantxv-超特軍級(jí)、jans-宇航級(jí)、（無(wú)）-非軍用品。

　　第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。

　　第三部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（eia）注冊(cè)標(biāo)志。n-該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（eia）注冊(cè)登記。

　　第四部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。

　　第五部分：用字母表示器件分檔。a、b、c、d、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別。如：jan2n3251a表示pnp硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管，jan-軍級(jí)、2-三極管、n-eia注冊(cè)標(biāo)志、3251-eia登記順序號(hào)、a-2n3251a檔。

　　四、國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法

　　德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家，大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，各部分的符號(hào)及意義如下：

　　部分：用字母表示器件使用的材料。a-器件使用材料的禁帶寬度eg=0.6~1.0ev如鍺、b-器件使用材料的eg=1.0~1.3ev如硅、c-器件使用材料的eg>1.3ev如砷化鎵、d-器件使用材料的eg<0.6ev如銻化銦、e-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料

　　第二部分：用字母表示器件的類(lèi)型及主要特征。a-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、b-變?nèi)荻O管、c-低頻小功率三極管、d-低頻大功率三極管、e-隧道二極管、f-高頻小功率三極管、g-復(fù)合器件及其他器件、h-磁敏二極管、k-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、l-高頻大功率三極管、m-封閉磁路中的霍爾元件、p-光敏器件、q-發(fā)光器件、r-小功率晶閘管、s-小功率開(kāi)關(guān)管、t-大功率晶閘管、u-大功率開(kāi)關(guān)管、x-倍增二極管、y-整流二極管、z-穩(wěn)壓二極管。

　　第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)、一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專(zhuān)用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)。

　　第四部分：用字母對(duì)同一類(lèi)型號(hào)器件進(jìn)行分檔。a、b、c、d、e┄┄-表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。

　　除四個(gè)基本部分外，有時(shí)還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類(lèi)。常見(jiàn)后綴如下：

　　1、穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴。其后綴的部分是一個(gè)字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母a、b、c、d、e分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱(chēng)穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母v，代表小數(shù)點(diǎn)，字母v之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱(chēng)穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。

　　2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的反向峰值耐壓值，單位是伏特。

　　3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出反向峰值耐壓值和反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。

　　如：bdx51-表示npn硅低頻大功率三極管，af239s-表示pnp鍺高頻小功率三極管。

　　五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法

　　歐洲有些國(guó)家，如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法。

　　部分：o-表示半導(dǎo)體器件

　　第二部分：a-二極管、c-三極管、ap-光電二極管、cp-光電三極管、az-穩(wěn)壓管、rp-光電器件。

　　第三部分：多位數(shù)字-表示器件的登記序號(hào)。

　　第四部分：a、b、c┄┄-表示同一型號(hào)器件的變型產(chǎn)品。

　　俄羅斯半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法由于使用少，在此不介紹。