反射損耗橋式電路的制作
出處：tuwen 發(fā)布于：2008-09-09 15:09:09
圖1 制作的反射損耗橋式電路
為了橋平衡的調(diào)整，插人可變阻抗（50Ω），調(diào)整到使低頻時(shí)的反射損耗。一方面，高頻時(shí)的平衡會(huì)因電路的對(duì)稱性、雜散電容而使特性變化很大，所以要附加調(diào)整用的數(shù)十皮法的補(bǔ)償電容器。
RF輸出為進(jìn)行平衡一不平衡單端變換，使用變壓器T2（單純的1：1變壓器），為改善高頻時(shí)的平衡度附加T1。
試作的印制電路板如照片1所示，本來應(yīng)封裝在金屬盒內(nèi)，其高頻域的特性與市場(chǎng)的出售品相比，性能較劣。
照片1 制作的反射損耗橋式電路的外觀（實(shí)際應(yīng)該封裝在金屬盒內(nèi)）
照片2是制作的反射損耗橋的特性，當(dāng)Rx＝∞（和短路相同）及RX＝75Ω時(shí)的特性，與前面介紹的WILTRON公司的反射損耗橋62NF50相類似。
照片2 制作的反射損耗電橋的特性（f=1O0k～lOOMH2 lOdB/p.)
Rx＝50Ω處的低頻域特性良好，在f＝lOMHz處有很大偏差、但反射損耗．30dB左右的傾向已經(jīng)足夠．
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