擴(kuò)大寬帶放大器頻帶的信號校正電容
出處:左撇子 發(fā)布于:2008-09-08 17:19:22
用于抑制峰值的補(bǔ)償電容C,只有數(shù)pF,是個(gè)小值,但也需要根據(jù)所使用的OP放大器的種類、電源電壓、安裝狀態(tài)等進(jìn)行調(diào)整。實(shí)際上如果使用半固定電容進(jìn)行調(diào)整可實(shí)現(xiàn)平坦化。
普通的OP放大器,即電壓負(fù)反饋型的OP放大器的頻率特性如圖1所示,由開環(huán)的增益-頻率特性和電路的反饋量決定。
如果增加增益,頻帶的幅度就會變窄。因此,我們進(jìn)行了實(shí)驗(yàn),觀察使用寬帶OP放大器時(shí),為何頻率特性變差的原因。
例如,在頻帶100MHz的OP放大器上,此值稱為OB積(增益和-3dB處頻率的乘積)或丘(開環(huán)增益為1的頻率)。

圖1 常用OP放大器的開環(huán)增益-頻率特性
圖2是使用寬帶OP放大器AD818AN將電壓增益20倍(26dB)的例子。從圖3所示的開環(huán)頻率特性來看,很容易預(yù)測到增加增益會使頻帶幅度變窄。知道了開始使用高增益,改變OP放大器的種類等,但當(dāng)設(shè)定的增益在規(guī)定值以下時(shí),會產(chǎn)生不穩(wěn)定的動(dòng)作,即產(chǎn)生峰值或振蕩。

圖2使用寬帶OP放大器AD818AN,電壓放大增益為20的電路

圖3 寬帶OP放大器AD818AN的開環(huán)增益-頻率特性
圖4 是在圖2中,當(dāng)RF=1kΩ,RF=51kΩ時(shí)的頻率特性(下方的曲線)。以50Ω為終端,平坦部的電壓增益為A=10倍(20dB)。
補(bǔ)償峰值的信號校正電容Cp為1000pF時(shí),在f=3MHz處約3dB的峰值,這是過補(bǔ)償。
此例中要想得到平坦的頻率特性,需要CF=510pF。圖4中標(biāo)識點(diǎn)處所示的直到3MHz都很平坦,-3dB的帶域約為6MHz。

圖4(OP放大器=AD818AN,A=20)的電路的頻率特性
順便提一下,觀察此曲線,可聯(lián)想到如果使用有源濾波器Q,可產(chǎn)生0.5~1.4之間變化的響應(yīng)。
放人信號校正電容的技術(shù),不用說,對于想使微調(diào)頻率特性和脈沖相應(yīng)更好的場合的應(yīng)用,具有一定的價(jià)值。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 數(shù)字電源控制與傳統(tǒng)模擬控制的深度對比2026/2/2 11:06:56
- 模擬信號調(diào)理電路技術(shù)設(shè)計(jì)與選型運(yùn)維指南2025/12/30 10:08:16
- 運(yùn)算放大器壓擺率的核心要點(diǎn)2025/9/5 16:27:55
- 深度剖析放大器穩(wěn)定系數(shù) K 與 Mu 的差異2025/9/2 16:44:05
- 什么是運(yùn)算放大器失調(diào)電流2025/9/1 17:01:22
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









