PCB完整性分析的基本操作步驟
出處：linwei1234 發(fā)布于：2008-09-03 14:16:58
簡單的說步驟是這樣的：
1、前仿真，屬于原理性的仿真，主要驗(yàn)證設(shè)計(jì)的可行性及如何進(jìn)行的設(shè)計(jì)，即求解空間 ．
2、后仿真，PCB Layout完成后，進(jìn)行再次仿真驗(yàn)證。
3、測試驗(yàn)證，原型機(jī)出來后，進(jìn)行測試，驗(yàn)證仿真的準(zhǔn)確度，可信性，還包括仿真模型、仿真方法的驗(yàn)證。
請登陸: 維庫電子市場網(wǎng)（www.hbjingang.com） 瀏覽更多信息
關(guān)鍵詞：PCB完整性分析的基本操作步驟
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處：維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng)，http://www.hbjingang.com，違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
相關(guān)技術(shù)資料
- 高速PCB信號完整性（SI）設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范2026/4/10 11:24:24
- PCB電磁兼容（EMC）設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范2026/4/9 10:38:43
- PCB可制造性設(shè)計(jì)（DFM）核心實(shí)操規(guī)范2026/4/8 10:41:07
- PCB測試點(diǎn)設(shè)計(jì)與檢測適配核心實(shí)操規(guī)范2026/4/7 11:55:25
- PCB散熱設(shè)計(jì)與熱管理核心實(shí)操規(guī)范2026/4/3 14:38:57
技術(shù)分類
廣告
熱門技術(shù)資料
最新技術(shù)資料
- 高速PCB信號完整性（SI）設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)（PLL）中的環(huán)路濾波器：參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容（EMC）設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析
