晶體管開路集電極組成的電路是基本的開關(guān)電路。圖1所示的74系列TTL的開路集電極上附加上拉電阻的電路，圖2所示的晶體管2SC2655上，附加集電極負(fù)載電阻RC進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

　　圖1 晶體管開路集電極——TTL時(shí)

　　功率MOSFET的門閉合時(shí)，通過電阻Rc對(duì)輸入電容Ciss充電，門打開時(shí)集電極一發(fā)射極間發(fā)生快速地放電。但此電路的缺點(diǎn)是tdON依賴于電阻Rc，高速化時(shí)需要Rc的值很低，所以驅(qū)動(dòng)電路的電流也增大。

　　圖2是Rc＝1kΩ時(shí)的開關(guān)波形。它產(chǎn)生了由Rc＝1kΩ、Ciss＝8700pF的時(shí)間常數(shù)所引起的延遲。一方面，由于OFF時(shí)晶體管的集電極電流高速放電，所以tdOFF變短。

　　圖2 由開路集電極組成的功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)

　　圖3表示Rc＝100Ω時(shí)的開關(guān)波形。提到它的可用特性，是晶體管的集電極電流大(Ic=0.1A+IG)。

　　圖3 由開路集電極組成的功率MOSFET的開關(guān)波形