圖1表示晶體管的開關(guān)電路。下面使用高耐壓的開關(guān)晶體管ZSC2534(VCEO＝500V ICQmax=2A)，負(fù)載電阻RL＝51Ω時(shí)的1A電流進(jìn)行開關(guān)動(dòng)作?；鶚O電阻RB為100Ω，為使晶體管充分飽和動(dòng)作，基極電流IB應(yīng)為50mA(用電流探頭測(cè)定，變化脈沖電壓合成)。

　　圖1 晶體管的開關(guān)特性測(cè)定電路

　　圖2 的上側(cè)ch1是輸出電壓波形。當(dāng)晶體管ON時(shí)，集電極電壓VCE下降。下側(cè)ch2是觀測(cè)的基極電流波形(50mA)，但基極電流IB＝0A時(shí)也不能立刻OFF，約1.2μs后OFF。這樣的狀態(tài)作為高速開關(guān)電路是存在問(wèn)題的。

　　圖2 ZSC2534的開關(guān)特性

　　要使晶體管的開關(guān)更高速的動(dòng)作，一般在基極電阻RB上并聯(lián)連接電容Cs(稱為加速電容器)。

　　圖3是Cs＝0.01μF(實(shí)驗(yàn)的值)時(shí)的開關(guān)波形。通過(guò)加上toff由1.2μs縮短為0.4μS，從0.6μS改善為0.1μs，從0.64μs改善為0.2μs。觀察此時(shí)的基極電流IB的波形可知ON/OFF時(shí)會(huì)發(fā)生過(guò)驅(qū)動(dòng)，這是因?yàn)闉楦纳萍?xì)，將晶體管內(nèi)的儲(chǔ)蓄電荷以逆電流形式引人的原因所致。還有，如果Cs的值過(guò)大，相反的toff會(huì)變長(zhǎng)。

　　圖3 SC2534的開關(guān)特性