什么是內(nèi)存條
出處:lizp 發(fā)布于:2008-08-22 15:15:33
內(nèi)存條是連接CPU 和其他設(shè)備的通道!起到緩沖和數(shù)據(jù)交換作用?。。?!
一、內(nèi)存的作用與分類
內(nèi)存是電腦中的主要部件,它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows98系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等,一般都是安裝在硬盤等外存上的,但僅此是不能使用其功能的,必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運(yùn)行,才能真正使用其功能,我們平時(shí)輸入一段文字,或玩一個(gè)游戲,其實(shí)都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。通常我們把要保存的、大量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在外存上,而把一些臨時(shí)的或少量的數(shù)據(jù)和程序放在內(nèi)存上。
內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種,前者又叫動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,它的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,我們平時(shí)說的內(nèi)存就是指這一種;后者又叫只讀存儲(chǔ)器,我們平時(shí)開機(jī)首先啟動(dòng)的是存于主板上ROM中的BIOS程序,然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows98或Windows95系統(tǒng),ROM的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。
二、內(nèi)存發(fā)展簡(jiǎn)史
起初,電腦所使用的內(nèi)存是一塊塊的IC,我們必須把它們焊接到主機(jī)板上才能正常使用,一旦某一塊內(nèi)存IC壞了,必須焊下來才能更換,這實(shí)在是太費(fèi)勁了。后來,電腦設(shè)計(jì)人員發(fā)明了模塊化的條裝內(nèi)存,每一條上集成了多塊內(nèi)存IC,相應(yīng)地,在主板上設(shè)計(jì)了內(nèi)存插槽,這樣,內(nèi)存條就可隨意拆卸了,從此,內(nèi)存的維修和擴(kuò)充都變得非常方便。
根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少,我們可以把內(nèi)存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲(chǔ)器模塊SIMM,168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲(chǔ)器模塊DIMM。目前30線內(nèi)存條已經(jīng)沒有了;前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條,其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種;目前市場(chǎng)的主流品種是168線內(nèi)存條,168線內(nèi)存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種,一般的電腦插一條就OK了,不過,只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持168線的內(nèi)存條。
三、內(nèi)存的性能指標(biāo)
評(píng)價(jià)內(nèi)存條的性能指標(biāo)一共有四個(gè):
(1) 存儲(chǔ)容量:即一根內(nèi)存條可以容納的二進(jìn)制信息量,如目前常用的168線內(nèi)存條的存儲(chǔ)容量一般多為32兆、64兆和128兆。
(2) 存取速度(存儲(chǔ)周期):即兩次獨(dú)立的存取操作之間所需的短時(shí)間,又稱為存儲(chǔ)周期,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存取周期一般為60納秒至100納秒。
(3) 存儲(chǔ)器的可靠性:存儲(chǔ)器的可靠性用平均故障間隔時(shí)間來衡量,可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。
(4) 性能價(jià)格比:性能主要包括存儲(chǔ)器容量、存儲(chǔ)周期和可靠性三項(xiàng)內(nèi)容,性能價(jià)格比是一個(gè)綜合性指標(biāo),對(duì)于不同的存儲(chǔ)器有不同的要求。
四、什么是EDO和SDRAM
前面我們已經(jīng)按引腳數(shù)的多少把內(nèi)存條分為30、72和168線等幾種,其實(shí),它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和性能上還有著本質(zhì)的區(qū)別。
譬如,72線內(nèi)存條是一種EDO內(nèi)存,而現(xiàn)今主流的168線內(nèi)存條幾乎清一色又都是SDRAM內(nèi)存;目前,EDO內(nèi)存的存取速度基本保持在60納秒左右,能夠適應(yīng)75兆赫茲的外頻,但跑83兆赫茲則有點(diǎn)勉為其難了;而SDRAM內(nèi)存的存取速度一般能達(dá)到10納秒左右,能夠適應(yīng)100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO內(nèi)存已逐步被SDRAM所取代,至今,幾乎已無人再用EDO來裝機(jī)了,只有升級(jí)擴(kuò)充舊電腦內(nèi)存時(shí)還用得著它。
其實(shí),EDO內(nèi)存被SDRAM所取代有其必然性,因?yàn)?,目前市?chǎng)上主流CPU的主頻已高達(dá)450兆赫茲,未來CPU的主頻還會(huì)越來越高。但由于傳統(tǒng)內(nèi)存條的讀寫速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上CPU的速度,迫使CPU插入等待指令周期,從而大大降低了電腦的整體性能。為了緩解這個(gè)內(nèi)存瓶頸的問題,我們就必須采用新的內(nèi)存結(jié)構(gòu),即SDRAM。因?yàn)?,從理論上說,SDRAM與CPU頻率同步,共享一個(gè)時(shí)鐘周期。SDRAM內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存儲(chǔ)陣列,當(dāng)CPU從一個(gè)存儲(chǔ)陣列訪問數(shù)據(jù)的同時(shí),另一個(gè)已準(zhǔn)備好讀寫數(shù)據(jù),通過兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊密切換,讀取效率得到成倍提高。目前,的SDRAM的存儲(chǔ)速度已高達(dá)5納秒,所以,SDRAM已成為近期內(nèi)存發(fā)展的主流。
當(dāng)然,EDO內(nèi)存也并沒有完全舉手投降,相反,憑借其出色的視頻特性和低廉的價(jià)格,在顯示內(nèi)存等領(lǐng)域仍是連連得手,眾多低檔顯卡更是無一例外地采用EDO內(nèi)存。另外,許多硬盤、光驅(qū)和打印機(jī)也是采用EDO緩存,可見,EDO內(nèi)存還真是寶刀不老?。?BR>
內(nèi)存選購
選購內(nèi)存條時(shí)除了要考慮前面介紹的引腳數(shù)、容量和存取速度之外,還要考慮以下幾個(gè)因素:
(1) 奇偶性
為了保證內(nèi)存存取數(shù)據(jù)的的準(zhǔn)確性,有些內(nèi)存條上有奇偶校驗(yàn)位,如3片或9片裝的內(nèi)存條。如果您對(duì)電腦運(yùn)行的準(zhǔn)確性要求很高,選擇有奇偶校驗(yàn)功能的內(nèi)存條。
(2) 價(jià)格
雖然現(xiàn)在的內(nèi)存條和以前相比,價(jià)格已經(jīng)大幅下降,但不同的品牌和性能,價(jià)格還是有一些差別,您可根據(jù)自己的需要和預(yù)算情況選擇適合自己的價(jià)位。另外,購買內(nèi)存時(shí)您還須注意品牌和質(zhì)量,目前,生產(chǎn)內(nèi)存的廠家較多,質(zhì)量較為可靠的品牌有:南韓LG、日本的東芝、日本精工、日本電氣公司、日本松下。
內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用。內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元,包括隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM),只讀存儲(chǔ)器(ROM),以及高速緩存(CACHE)。只不過因?yàn)镽AM是其中重要的存儲(chǔ)器。
通常所說的內(nèi)存即指電腦系統(tǒng)中的RAM。
RAM有些像教室里的黑板,上課時(shí)老師不斷地往黑板上面寫東西,下課以后全部擦除。RAM要求每時(shí)每刻都不斷地供電,否則數(shù)據(jù)會(huì)丟失。如果在關(guān)閉電源以后RAM中的數(shù)據(jù)也不丟失就好了,這樣就可以在每開機(jī)時(shí)都保證電腦處于上關(guān)機(jī)的狀態(tài),而不必每次都重新啟動(dòng)電腦,重新打開應(yīng)用程序了。但是RAM要求不斷的電源供應(yīng),那有沒有辦法解決這個(gè)問題呢?隨著技術(shù)的進(jìn)步,人們想到了一個(gè)辦法,即給RAM供應(yīng)少量的電源保持RAM的數(shù)據(jù)不丟失,這就是電腦的待機(jī)功能,特別在Win2000里這個(gè)功能得到了很好的應(yīng)用,休眠時(shí)電源處于連接狀態(tài),但是耗費(fèi)少量的電能。
按內(nèi)存條的接口形式,常見內(nèi)存條有兩種:?jiǎn)瘟兄辈鍍?nèi)存條(SIMM),和雙列直插內(nèi)存條(DIMM)。SIMM內(nèi)存條分為30線,72線兩種。DIMM內(nèi)存條與SIMM內(nèi)存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用,不同容量可混合使用,SIMM必須成對(duì)使用。
按內(nèi)存的工作方式,內(nèi)存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步動(dòng)態(tài)RAM)等形式。
FPA(FAST PAGE MODE)RAM 快速頁面模式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:這是較早的電腦系統(tǒng)普通使用的內(nèi)存,它每個(gè)三個(gè)時(shí)鐘脈沖周期傳送數(shù)據(jù)。
EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM
擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:EDO內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔,他每個(gè)兩個(gè)時(shí)鐘脈沖周期輸出數(shù)據(jù),大大地縮短了存取時(shí)間,使存儲(chǔ)速度提高30%。EDO一般是72腳,EDO內(nèi)存已經(jīng)被SDRAM所取代。
S(SYSNECRONOUS)DRAM
同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:SDRAM為168腳,這是目前PENTIUM及以上機(jī)型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起,使CPU和RAM能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期,以相同的速度同步工作,每一個(gè)時(shí)鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù),速度比EDO內(nèi)存提高50%。
DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM
SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品,他允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù),這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
RDRAM(RAMBUS DRAM)存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器;RDRAM是RAMBUS公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬,芯片到芯片接口設(shè)計(jì)的新型DRAM,他能在很高的頻率范圍內(nèi)通過一個(gè)簡(jiǎn)單的總線傳輸數(shù)據(jù)。他同時(shí)使用低電壓信號(hào),在高速同步時(shí)鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。INTEL將在其820芯片組產(chǎn)品中加入對(duì)RDRAM的支持。
內(nèi)存的參數(shù)主要有兩個(gè):存儲(chǔ)容量和存取時(shí)間。存儲(chǔ)容量越大,電腦能記憶的信息越多。存取時(shí)間則以納秒(NS)為單位來計(jì)算。一納秒等于10^9秒。數(shù)字越小,表明內(nèi)存的存取速度越快。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 什么是氫氧燃料電池,氫氧燃料電池的知識(shí)介紹2025/8/29 16:58:56
- SQL核心知識(shí)點(diǎn)總結(jié)2025/8/11 16:51:36
- 等電位端子箱是什么_等電位端子箱的作用2025/8/1 11:36:41
- 基于PID控制和重復(fù)控制的復(fù)合控制策略2025/7/29 16:58:24
- 什么是樹莓派?一文快速了解樹莓派基礎(chǔ)知識(shí)2025/6/18 16:30:52
- PCB焊盤與過孔設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范(含可焊性與可靠性保障)
- 汽車電子常用電子元器件選型指南
- MOSFET驅(qū)動(dòng)與隔離方案設(shè)計(jì)
- 高溫環(huán)境下電源IC選型建議
- 安防監(jiān)控設(shè)備連接器應(yīng)用分析
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法









