恒憶（Numonyx）宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領(lǐng)域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術(shù)在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品，進行技術(shù)創(chuàng)新。

　　根據(jù)新協(xié)議，恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供的NAND存儲器技術(shù)和產(chǎn)品，并且整合資源以加快未來NAND技術(shù)及解決方案的開發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動DRAM領(lǐng)域，雙方也將進行合作。

　　恒憶總裁兼執(zhí)行官Brian Harrison表示：“未來五年，在NAND市場實現(xiàn)增長和成功需要具備多種能力，而我們相信與海力士合作將讓我們具備這樣的能力。通過整合雙方的資源，加上海力士在成本控制上的不懈努力，我們相信我們將擁有的技術(shù)、有效的成本且可擴展的制造能力以及行業(yè)的存儲器系統(tǒng)技術(shù)，從而能夠快速向市場推出系統(tǒng)級的NAND解決方案。海力士對我們技術(shù)的補充必將增強我們在NAND，特別是無線領(lǐng)域的領(lǐng)導地位?！?/P>

　　海力士公司董事會主席兼執(zhí)行官Jong-Kap Kim表示：“要在飛速發(fā)展半導體行業(yè)取得成功并不簡單，聯(lián)合解決技術(shù)問題可以整合兩家公司的優(yōu)勢，從而降低獨自行動所帶來的風險。未來的聯(lián)合技術(shù)開發(fā)將是雙方合作取得成功的關(guān)鍵。在產(chǎn)品、軟件和控制器領(lǐng)域的系統(tǒng)化聯(lián)合開發(fā)將有助于我們快速推出新產(chǎn)品，可以預期我們將在開發(fā)存儲器解決方案方面取得重大進展。海力士與恒憶將采用的技術(shù)開發(fā)全系列產(chǎn)品，共同在NAND市場取得更大的成功?，F(xiàn)在，我們擁有了龐大的NAND設(shè)計團隊，共同為現(xiàn)在和未來開發(fā)新的NAND存儲器解決方案，我們期待著延續(xù)過去的成功歷史?！?/P>

　　隨著技術(shù)的發(fā)展以及光刻節(jié)點變得越來越小，制造NAND存儲器也變得越來越復雜。電荷捕獲型NAND預期將取代目前主流的浮動門NAND技術(shù)，而恒憶在NOR閃存技術(shù)上的豐富經(jīng)驗將對此作出積極貢獻。要應對這個挑戰(zhàn)，存儲器供應商需要在未來五年更深入地了解器件的物理性能和整體存儲器系統(tǒng)級解決方案。

　　恒憶軟件技術(shù)將有助于存儲器供應商達到上述要求，并對市場滲透產(chǎn)生正面影響，提升microSD、eMMC和SSD等集成NAND解決方案的市場份額。恒憶與海力士的合作將帶來重大的整合效應，而恒憶在解決非易失性存儲器挑戰(zhàn)方面有40年的歷史并且在開發(fā)固件、微控制器和其他系統(tǒng)解決方面擁有豐富的經(jīng)驗，這些因素都將在NAND從原始芯片向系統(tǒng)的轉(zhuǎn)變中起關(guān)鍵作用。

　　除了在NAND上的合作，兩家公司在中國無錫的合資企業(yè)目前正計劃生產(chǎn)300毫米低功耗移動DRAM。兩家公司針對移動設(shè)備的解決方案中均采用了與多芯片封裝中的非易失性存儲器進行普通堆疊的移動DRAM。在移動DRAM上的合作讓兩家公司能夠向需要小型設(shè)備的客戶提供更多成本效益高的低功耗多芯片存儲器子系統(tǒng)。海力士在今年四月份推出了世界上速度的1Gb LPDDR2產(chǎn)品，成為移動DRAM產(chǎn)品行業(yè)的。其在產(chǎn)品多樣化、技術(shù)、性能以及兼容SDR/DDR接口方面保持，提供單芯片解決方案。

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