SAW器件主要由具有壓電特性的基底材料和在該材料的拋光面上制作的由金屬薄膜組成的相互交錯(cuò)的叉指狀換能器（IDT）組成。如果在IDT電極兩端加入高頻電信號(hào),壓電材料的表面就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)并同時(shí)激發(fā)出與外加電信號(hào)頻率相同的表面聲波,這種表面聲波會(huì)沿基板材料表面?zhèn)鞑?。如果在SAW傳播途徑上再制作一對(duì)IDT電極,則可將SAW檢測(cè)并使其轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。IDT叉指狀金屬電極借助于半導(dǎo)體平面工藝技術(shù)可以制作。

SAW應(yīng)移動(dòng)通信的要求不斷發(fā)展

　　提高工作頻率

　　對(duì)SAW器件,當(dāng)壓電基材選定之后,其工作頻率則由IDT指條寬度決定。IDT指條愈窄,頻率則愈高,二者關(guān)系曲線如圖1所示。

　　眾所周知,目前0.5μm級(jí)的半導(dǎo)體工藝已是較普通的技術(shù),該尺寸的IDT電極條寬能制作出約1500MHz的SAW濾波器。利用0.35μm級(jí)的光刻工藝,能制作出2GHz的器件。借助于0.2μm級(jí)的精細(xì)加工技術(shù),2.5GHz的SAW器件早已實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn),3GHz的器件開始進(jìn)入實(shí)用化。

　　微型化、片式化、組合化

　　SAW器件微型化、片式化和輕便化,是移動(dòng)通信產(chǎn)品提出的基本要求。SAW器件的IDT電極條寬通常是按照SAW波長(zhǎng)的1/4來進(jìn)行設(shè)計(jì)的。對(duì)于工作在1GHz下的器件,若設(shè)SAW的傳播速度是4000m/s,波長(zhǎng)則僅為4μm（1/4波長(zhǎng)是1μm）,在0.4mm的距離中能夠容納100條1μm寬的電極。故SAW器件芯片可以做得非常小,便于實(shí)現(xiàn)超小型化。

　　為縮小SAW器件的體積,在其封裝型式上已由傳統(tǒng)的圓形金屬殼封裝改為方形或長(zhǎng)方形扁平金屬或LCC表面貼裝款式,并且尺寸不斷縮小。圖2為SAW濾波器尺寸不斷縮小的實(shí)物對(duì)比。

　　1998年,日本富士通公司推出的SAW濾波器,尺寸僅為2.5mm×2.0mm×1.2mm。