日前，Vishay推出了旨在滿足對便攜式設備中更小元件的需求的20V p通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有此類器件中薄厚度及導通電阻。

　　Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面積，這也是在1.2V額定電壓時提供導通電阻的首款此類器件。該器件的典型應用包括手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3播放器及智能電話等便攜式設備中的負載開關及電池保護。

　　Si8441DB提供了1.2V VGS時0.600Ω至4.5V VGS時0.080Ω的導通電阻范圍，且具有±5V的柵源電壓。其在1.2V額定電壓時出色的低導通電阻性能降低了對電平位移電路的需求，從而節(jié)約了便攜式電子設計中的空間。

　　Vishay同時還推出了采用相同MICRO FOOT芯片級封裝的另一新款MOSFET功率器件--20V p通道Si8451DB。Si8451DB的額定柵源電源為8V，其導通電阻范圍介于1.5V時0.200Ω至4.5V時0.80Ω，這是迄今為止具有這些額定電壓的器件所實現(xiàn)的值。

　　隨著便攜式電子設備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現(xiàn)消費者對電池充電間隔間的電池運行時間的期望，設計人員需要具有低功耗的更小的MOSFET封裝，這恰恰是Vishay的Si8441DB及Si8451DB所具有的特點。

　　目前，上述兩款新型MICRO FOOT芯片級封裝功率MOSFET的樣品與量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為10～12周。