研諾邏輯科技有限公司，推出業(yè)界首款集成式受壓擺率控制的負(fù)荷開(kāi)關(guān)——AAT4285，它能夠支持12V電壓的應(yīng)用。AAT4285通過(guò)將電平位移和壓擺率控制功能集成到一塊單片器件中，使得設(shè)計(jì)人員在便攜式消費(fèi)產(chǎn)品領(lǐng)域以及非便攜式工業(yè)系統(tǒng)領(lǐng)域的各種新型12V應(yīng)用中，不僅可以減少功率消耗，而且還可將外圍元器件的使用總數(shù)降到少。 

　　“到目前為止，在由5V電壓供電的各種便攜式系統(tǒng)中，我們的各類(lèi)受壓擺率控制的負(fù)荷開(kāi)關(guān)產(chǎn)品已被廣泛地用來(lái)取代分立元器件解決方案。” 研諾公司的產(chǎn)品線(xiàn)總監(jiān)Phil Dewsbury說(shuō)：“AAT4285可為采用12V電壓運(yùn)行的應(yīng)用提供同樣的功能性，使得設(shè)計(jì)人員不僅可在諸如檢測(cè)設(shè)備或攝像機(jī)這種較高功率的便攜式系統(tǒng)中，開(kāi)創(chuàng)性地省去了一個(gè)分立的MOSFET元件和多達(dá)11個(gè)外部元件，而且在各種非便攜式工業(yè)應(yīng)用中也同樣可以這樣做。”

快速的負(fù)荷開(kāi)關(guān)時(shí)間
 
　　AAT4285是一款P－通道MOSFET開(kāi)關(guān)，專(zhuān)為高端負(fù)荷開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件可以在3.0V到13.2V的輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行，在功能上與AnalogicTech的AAT4250和AAT4280產(chǎn)品相兼容，可提供一個(gè)100µs快速負(fù)荷開(kāi)關(guān)接通時(shí)間，其快速關(guān)閉負(fù)荷放電能力使得AAT4285能夠在開(kāi)關(guān)失效時(shí)，快速關(guān)閉負(fù)載電路。 

　　此外，AAT4285在12V時(shí)，可提供一個(gè)240 mΩ非常低的RDS(ON) （典型導(dǎo)通電阻），以將負(fù)荷開(kāi)關(guān)功率的處理能力達(dá)到化；在5V時(shí)， RDS(ON) 為320 mΩ。AAT4285的典型靜態(tài)電流為25 µA。

新工藝 

　　AAT4285是采用AnalogicTech的ModularBCD處理工藝而生產(chǎn)的首款12V器件。ModularBCD工藝與成熟的傳統(tǒng)線(xiàn)性IC制造或通用數(shù)字CMOS制造工藝的不同之處在于，它首開(kāi)新一代的模擬、電源與混合信號(hào)IC技術(shù)，特別是開(kāi)創(chuàng)了高科技晶圓制造并在ex-DRAM制造中優(yōu)化了生產(chǎn)。 

　　由于在單塊芯片中，將電壓分別為3V、5V和12V并帶有高速互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)管的完全隔離的CMOS器件與電壓為30V并無(wú)需采用諸如外延附生或高溫?cái)U(kuò)散等極復(fù)雜昂貴的工藝的強(qiáng)勁的DMOS功率器件集成一體，新工藝令單片、混合信號(hào)及系統(tǒng)型芯片無(wú)論在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都更加可行。因此，采用ModularBCD而生產(chǎn)的器件不僅比用傳統(tǒng)工藝生產(chǎn)的器件取得更高的效率、更小的尺寸及更高的集成水平，而且可以幫助移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品更好的管理電源并延長(zhǎng)電池的使用壽命，這些產(chǎn)品泛及手機(jī)、便攜式多媒體播放器、臺(tái)式電腦與手提電腦、數(shù)碼相機(jī)等。

價(jià)錢(qián)和供貨 

　　AAT4285的額定工作溫度范圍是-40至+85℃，采用無(wú)鉛、8引腳SC70JW封裝，現(xiàn)可供貨。訂貨量為1000片時(shí)每片單價(jià)為0.68美元。