除高能效外，新款MOSFET準(zhǔn)許實(shí)際電路的開關(guān)頻率高于正常開關(guān)頻率，這樣可以縮減電路無源器件的尺寸。例如，把電路的開關(guān)頻率提高10%，輸出濾波器需要的無源器件的尺寸就可以縮小10%。

　　STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新系列STripFET V的頭兩款產(chǎn)品，因?yàn)閷?dǎo)通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異，能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30V（BVDSS）器件。因?yàn)闁烹姾闪浚≦g）僅為8.8nC（納庫化），在10V電壓時，導(dǎo)通電阻Rds（on）為7.2毫歐，所以STD60N3LH5是非隔離直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器中的控制型場效應(yīng)晶體管的理想選擇。在10V電壓時，導(dǎo)通電阻Rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nC，因此STD85N3LH5是同步場效應(yīng)晶體管的選擇。兩款新產(chǎn)品都采用DPAK和IPAK封裝，不久還將推出采用SO-8、PowerFLAT 3.3x3.3、PowerFLAT 6x5和PolarPAK封裝的產(chǎn)品。新系列STripFET V產(chǎn)品適合應(yīng)用于筆記本電腦、服務(wù)器、電信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。

　　ST的STripFET技術(shù)利用非常高的等效單元密度和更小的單元特征尺寸來實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時硅面積占用率較低。STripFET V是一代的STripFET技術(shù)，與上一代技術(shù)相比，硅阻和活動區(qū)的關(guān)鍵指標(biāo)改進(jìn)大約35%，單位活動區(qū)內(nèi)的柵電荷總量降低25%。