硅光電池的結(jié)構(gòu)介紹
出處：puppy2005 發(fā)布于：2008-04-07 15:31:08
硅光電池是把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件。由于硅光電池的主要材料為硅單晶，所以叫硅光電池。硅光電池的結(jié)構(gòu)如圖135所示，它是由一個(gè)大面積的PN結(jié)構(gòu)成，在N型硅片上制得極薄的P型硅片層，再在PN結(jié)的上、下兩面各引出一個(gè)電極，即圖中的背電極與上電極引線，并在表面涂上抗反射膜，以確保光的轉(zhuǎn)換作用。圖中的柵線是為了提高硅光電池的輸出功率而加的，但也有的硅光電池沒有柵線。
上一篇：紐扣電池的種類和型號介紹
下一篇：硅光電池外形介紹
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處：維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng)，http://www.hbjingang.com，違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響2026/4/10 11:07:36
- 連接器耐腐蝕性能測試方法2026/4/10 10:56:32
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題2026/4/9 10:13:50
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析2026/4/9 10:02:52
- 連接器選型中容易忽略的關(guān)鍵參數(shù)2026/4/8 10:32:54
- 高速PCB信號完整性（SI）設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)（PLL）中的環(huán)路濾波器：參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容（EMC）設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析
