薄膜開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)與用途
出處：xzl 發(fā)布于：2008-04-03 15:15:10
(1)薄膜開(kāi)關(guān) 如圖116所示，它由引出線、上部電極電路、下部電極電路、中間隔離層及面板層等構(gòu)成。該種開(kāi)關(guān)具有密封性好、重量輕、體積小，采用低電壓、低電流且能防水、防塵，壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，多用于辦公設(shè)備、家用電器等電子產(chǎn)品中。
薄膜開(kāi)關(guān)的背面有強(qiáng)力壓敏膠層，將防粘紙撕掉后，便可貼在儀器的面板上，且開(kāi)關(guān)的引出線為薄膜導(dǎo)電帶，并配以專用插座連接。此種結(jié)構(gòu)為使用帶來(lái)了很大的方便，故得到了廣泛的使用。
關(guān)鍵詞：薄膜開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)與用途
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處：維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)，http://www.hbjingang.com，違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
相關(guān)技術(shù)資料
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響2026/4/10 11:07:36
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法2026/4/10 10:56:32
- MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)中的EMI問(wèn)題2026/4/9 10:13:50
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見(jiàn)問(wèn)題分析2026/4/9 10:02:52
- 連接器選型中容易忽略的關(guān)鍵參數(shù)2026/4/8 10:32:54
技術(shù)分類
廣告
熱門(mén)技術(shù)資料
最新技術(shù)資料
- 高速PCB信號(hào)完整性（SI）設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)（PLL）中的環(huán)路濾波器：參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容（EMC）設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)中的EMI問(wèn)題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見(jiàn)問(wèn)題分析
