單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)

出處：heilo 發(fā)布于：2008-04-23 11:24:15

　　單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)如圖一a所示，在一塊高電阻率的N型硅片兩端制作兩個(gè)電極，分別叫基極b1，和第二基極b2。在硅片的另一側(cè)靠近b2處制作一個(gè)PN結(jié)，并在P型半導(dǎo)體上引出電極e。

　　在圖一(b)所示的等效電路中，RBB為b1和b2極間的純電阻，稱為基區(qū)電阻，其阻值一般在2-10kΩ之間。Rb2為基極b2與發(fā)射極e之間的電阻，在正常工作時(shí)，Rb1將隨發(fā)射極電流大而變化。PN結(jié)的作用相當(dāng)于一個(gè)二極管VD。

　　圖一　單結(jié)晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及等效電路

單結(jié)晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及等效電路

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