N溝道增S雖型V-MOS場效應管結(jié)構(gòu)示意圖
　　2.V-MOS場效應管的特點
   
　　(1)輸入阻抗高
　　從結(jié)構(gòu)上可以看出，由于柵極間是SiO2層,所以柵極和源極間的直流電阻,就是SiO2層的絕緣電阻，一般為1X108Ω。V-MOS管的輸入電容比半導體三極管的輸入電容要小，一般小于5OOpF，所以V-MOS管的交流輸入阻抗也很高。
   
　　(2)驅(qū)動電流和驅(qū)功率小

　　V-MOS管屬功率型場效應管,但其驅(qū)動電流卻很小,一般為100nA。驅(qū)動功率也很小,一般認識為只要有電壓便可驅(qū)動。

　　(3)開關(guān)速度快
　　V-MOS功率器件的開關(guān)速度比半導體功率三極管要快得多，一般低壓V-MOS管的開關(guān)時間為1Ons數(shù)量級;高壓V-MOS功率管的開關(guān)時間為1OOμs數(shù)量級。
　　(4)通頻帶寬，高頻特性好
　　由于V-MOS功率管的載流子的運動是快速的漂移運動，同時漂移距離也很短，為1~1.5μm，所以V-MOS管功率增益隨頻率變化極小，通頻帶寬，有良好的高頻特性。
　　(5)跨導呈高度線性
　　由于V-MOS管的溝道長度在1~2μm之間，所以載流子極易飽和。飽和后的跨導gm基本上為一常數(shù)，不隨電流大小而變化，呈現(xiàn)出高度的線性。
　　(6)電流自動調(diào)節(jié)能力強，熱穩(wěn)定性好
　　V-MOS管的溝道電阻具有正的溫度系數(shù)，器件的電流具有負的溫度系數(shù)，因而V-MOS功率管具有良好的電流自動調(diào)節(jié)能力。V-MOS功率管具有均勻溫度分布能力，熱穩(wěn)定性好。