半導(dǎo)體的導(dǎo)電性介紹
出處:lucidmask 發(fā)布于:2008-04-22 10:39:51
物質(zhì)按照導(dǎo)電能力的大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。大家知道金屬中有許多自由電子,在電場(chǎng)作用下,自由電子定向運(yùn)動(dòng)形成電流,所以金屬具有良好的導(dǎo)電性,是導(dǎo)體。在塑料、云母等材料中,雖然也含有大量的電子,但這些電子都被原子核緊緊地束縛在原子核周圍而不能自由運(yùn)動(dòng),因而即使加很強(qiáng)的電場(chǎng),這些電子也不會(huì)產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng),形不成電
流,所以這一類材料屬絕緣體。
除了導(dǎo)體和絕緣體外,還有一類物質(zhì),它們既不像導(dǎo)體那樣容易導(dǎo)電,也不像絕緣體那樣不容易導(dǎo)電,它們的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間,我們把這類物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。
純凈的半導(dǎo)體材料是不導(dǎo)電的,但半導(dǎo)體電子被束縛的狀態(tài)是較松的,隨著溫度的升高,會(huì)有個(gè)別電子掙脫束縛而成為自由電子,半導(dǎo)體也就有一些導(dǎo)電性了。電子在掙脫束離去之后,在原來的位置上會(huì)留下一個(gè)空位,這個(gè)空位可以被別的原子中的電子所填補(bǔ),就好像在原來的空位移動(dòng)了一個(gè)位置。如果給半導(dǎo)體加上電場(chǎng),則這種空位的填補(bǔ)運(yùn)動(dòng)將是定向的,就好像空位由正向負(fù)運(yùn)動(dòng)。如果把可定向運(yùn)動(dòng)的自由電子稱為載流子的話,那么能定向運(yùn)動(dòng)的空位也是一種載流子,稱之為空穴。自由電子是一種帶負(fù)電的載流子,由于空穴的運(yùn)動(dòng)方向和電子的運(yùn)動(dòng)方向相反,所以空穴是一種帶正電的載流子。圖一給出了半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)方向,其中電流的方向與空穴運(yùn)動(dòng)方向相同,而與電子的運(yùn)動(dòng)方向相反。
圖一 半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)方向

雖然半導(dǎo)體中有兩種載流子,但由于其數(shù)量太少,所以純凈的半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力十分微弱。如果在純凈的半導(dǎo)體中適量加入微量的雜質(zhì)元索,就可以大大提高半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。
加入半導(dǎo)體中的雜質(zhì)元素可分為兩種:一種雜質(zhì)加入半導(dǎo)體后,在半導(dǎo)體中會(huì)產(chǎn)生許多帶負(fù)電的電子,這種半導(dǎo)體叫做N型半導(dǎo)體,其中的電子就是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子;另一種雜質(zhì)加到半導(dǎo)體中會(huì)產(chǎn)生缺少電子的空穴,這種半導(dǎo)體叫做P型半導(dǎo)體,其中的空穴就是多數(shù)載流子,電子則是少數(shù)載流子。
在N型和P型兩種半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子和少數(shù)載流子的數(shù)量相差很多。
上一篇:繼電器邏輯電路的介紹
下一篇:PN結(jié)的構(gòu)成
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響2026/4/10 11:07:36
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法2026/4/10 10:56:32
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題2026/4/9 10:13:50
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析2026/4/9 10:02:52
- 連接器選型中容易忽略的關(guān)鍵參數(shù)2026/4/8 10:32:54
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









