Infineon開(kāi)始量產(chǎn)首款RF開(kāi)關(guān)，其硅晶片采用CMOS工藝制造，可以提供與GaAs工藝制造的RF開(kāi)關(guān)相當(dāng)?shù)男阅?，?shí)現(xiàn)了技術(shù)上的突破。到目前為止，為達(dá)到GaAs開(kāi)關(guān)的性能，基于CMOS的RF開(kāi)關(guān)需要采用專用的價(jià)格高很多的藍(lán)寶石晶圓制造全新系列的款CMOS RF開(kāi)關(guān)BGS12A采用細(xì)間距WLP封裝，尺寸僅僅為0.79mm x 0.54mm，與市面上封裝的GaAs RF開(kāi)關(guān)相比，可節(jié)約60%的電路板尺寸。在很多無(wú)線產(chǎn)品如手機(jī)、WLAN、WiMAX、GPS導(dǎo)航系統(tǒng)、藍(lán)牙配件或遠(yuǎn)程無(wú)線鑰匙等，RF開(kāi)關(guān)典型的用于實(shí)現(xiàn)接收和發(fā)送數(shù)據(jù)（Rx/Tx）、頻帶選擇或天線差分應(yīng)用的交換功能，還可以在全世界漫游。一般來(lái)說(shuō)，典型的移動(dòng)設(shè)備都會(huì)安裝一個(gè)RF開(kāi)關(guān)。然而，一些多頻帶多模式手機(jī)則會(huì)安裝多達(dá)4個(gè)RF開(kāi)關(guān)。

　　新款I(lǐng)nfineon RF開(kāi)關(guān)采用獨(dú)特的RF CMOS工藝制造，結(jié)合了具有杰出RF性能的CMOS優(yōu)點(diǎn)，如地插入損耗，低諧波失真，良好的隔離以及高功率級(jí)。CMOS固有的優(yōu)點(diǎn)包括高集成能力，有成本效率以及優(yōu)越的靜電放電（ESD）強(qiáng)健性。與現(xiàn)有解決方案相比，基于CMOS的RF開(kāi)關(guān)具有的集成能力，比GaAs器件更便宜，而且由于電流消耗顯著降低，因此具有比PIN二極管更長(zhǎng)的電池壽命。Infineon的RF開(kāi)關(guān)都不需要外部DC隔離電容，并且集成了完備的控制邏輯。CMOS兼容的邏輯電平（1.4 V到2.8 V）使得無(wú)需使用外部電平轉(zhuǎn)換器。

　　BGS12A是Infineon新的基于CMOS RF開(kāi)關(guān)系列的款產(chǎn)品。它是一個(gè)通用單刀雙擲（SPDT）RF開(kāi)關(guān)，為功率級(jí)高于20 dBm、P -1dB大于30 dBm所設(shè)計(jì)。新款RF開(kāi)關(guān)具有高RF性能，當(dāng)頻率為1.0 GHz時(shí)其插入損耗僅僅0.3 dB，低諧波失真，良好的隔離（1.0 GHz時(shí)為34 dB），小于4?s的快速轉(zhuǎn)換時(shí)間。接口可以承受1.5 kV HBM ESD，從而提供了移動(dòng)設(shè)備模塊制造商的產(chǎn)量并且達(dá)到了所需的ESD級(jí)別。BGS12A非常適用于高達(dá)3 GHz的低和中等功率應(yīng)用。

　　BGS12A已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。
　　1,000片量時(shí)單價(jià)為USD 0.70。
　　詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.infineon.com.cn/