鍍膜的方法雖然也可以移動模式波長，但由于頂部反射率的降低，ASFP腔的諧振吸收作用減弱了，難以制作高對 比度的器件。高對比度的器件一般都是常通型。常通型器件要求模式波長在c－h(huán)h峰的長波方向，如果由于生長厚 度的偏差引起模式波長的偏離，必須采用后工藝的方法將模式波長移到合適的位置。圖1所示為列陣器件的濕法腐 蝕實驗結(jié)果，曲線1為器件腐蝕前的反射譜（器件I、2為列陣在空間位置上相隔遠(yuǎn)的兩個器件）。

圖1 模式波長在腐蝕控制下的移動

　　腐蝕前器件1和2的e－lh激子峰都在約840 nm處，e－h(huán)h激子峰都在約848 nm處，兩個器件的模式波長均在約880  nm處，兩個器件的模式波長移動值基本相同，說明模式波長移動對不同的器件來說是比較均勻的。腐蝕⒛s后，激 子峰的位置不動，但是模式波長的位置移到了約874 nm，共移動6 nm（o.3 nm/s）；再腐蝕15 s后，模式波長移 動了約3 nm，到了870 nm（0.26 nm/s）。要使常通型器件獲得較好的調(diào)制特性，應(yīng)使模式波長移到距激子峰lO  nm左右的位置。繼續(xù)腐蝕直到模式波長距激子峰約10 nm。圖2為兩個器件腐蝕到模式波長距激子峰約10 nm時的電 調(diào)制反射譜。在外加電壓為15 V時獲得大約5的對比度，器件的高態(tài)反射率大約為50％。由于我們可以用濕法腐蝕 的方法將模式波長調(diào)整到任意位置，因此我們可以得知模式波長與激子峰在不同間距時器件的調(diào)制特性。

　　利用濕法腐蝕技術(shù)調(diào)整模式的技術(shù)對于獲得高對比度的常通型器件是很重要的，如果沒有濕法腐蝕技術(shù)調(diào)整模 式，則模式位置不合適的器件都不能使用。模式調(diào)整技術(shù)實現(xiàn)了ASFP腔模式可調(diào)，從而大幅度提高量子阱材料的 可用性，它對改善器件性能具有重要意義。

圖2 濕法腐蝕到模式距激子峰約10nm時器件的電調(diào)制反射譜

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