和普通的雙極晶體管相比，由于SiGe HBT異質(zhì)結(jié)晶體管具有更高的速度，因此被用來制作高速集成電路。本文介紹SiGe工藝PIN探測(cè)器和HBT集成的器件結(jié)構(gòu)接收器電路結(jié)構(gòu)及OEIC性能。

　　如圖所示，PD為PIN探測(cè)器，Q2為共射輸入級(jí)，Q3和Q6為射級(jí)跟隨器，Qt、Q4和Q5為電平移位二極管。由于高速晶體管的擊穿電壓通常較小，Qt和Q5分別減小了Q2和Q6的集電極－發(fā)射極電壓差UCE以避免晶體管被擊穿。YDD和Ygg是為了分別使PIN和放大器工作在狀態(tài)下，yDD應(yīng)該足夠大以增加探測(cè)器耗盡區(qū)寬度，適當(dāng)?shù)腣gg使各個(gè)晶體管被偏置在合適的靜態(tài)工作點(diǎn)上。電阻FF負(fù)反饋形成跨阻結(jié)構(gòu)，其值大小決定了接收器的帶寬、增益及噪聲特性。這些特性是相互影響、相互矛盾的，因此IRF的取值應(yīng)該在這三個(gè)參數(shù)中折中。PF取640Ω得到了52.2 dBΩ的增益，1.6 GHz的－3 dB帶寬。當(dāng)VDD為9V，Vcc為6V時(shí)，整個(gè)單片集成接收器的帶寬為460 MHz。顯然帶寬受限于探測(cè)器帶寬，因此可以適當(dāng)增加反饋電阻／iF值減小放大電路帶寬以提高增益和減小噪聲，從而提高靈敏度。由基極電流引起的散粒噪聲和反饋電阻引起的熱噪聲形成的等效輸入噪聲電流譜密度為8.2 pA/開根（HZ）。根據(jù)這些值，在入射光波長為850 nm，誤碼率為10-9條件下，比特率分別為0.5Gb/s和1.0Gb/s時(shí)，可估算出單片接收器的靈敏度分別為-24.3 dBm和-22.8dBm。

圖 SiGe單片集成探測(cè)器接收器

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