在不對(duì)工藝做任何修改的情況下，N＋埋層集電極可以被用做光電二極管的陰極，N型外延集電區(qū)可用做PIN光電二極管中的I層，而基極注入?yún)^(qū)則可以被用做陽極，如圖1所示。這樣就使得在標(biāo)準(zhǔn)的雙極工藝中能夠集成帶有薄本征層的光電二極管［37～38］。

　　圖1  基極－集電極形成的PIN光電二極管

　　高速雙極工藝中N型外延層厚度大約在1 gm左右，這樣小的厚度會(huì)使得探測器在黃色到紅外光譜范圍（580～1100 nm）內(nèi)量子效率較低。而光脈沖信號(hào)引起的光生電流的上升時(shí)間和下降時(shí)間同樣會(huì)由于薄外延層的原因變得非常短，從而有利于改善響應(yīng)速度。這種光電二極管的數(shù)據(jù)傳輸能力可達(dá)到10 Gb/s，但是其在肛850 nm下的響應(yīng)度僅有R＝48 mA/W［37］。780～850 nm波長范圍在長幾千米的短程光數(shù)據(jù)傳輸中被廣泛應(yīng)用，在此波長范圍下較低的響應(yīng)度是標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝0EIC的主要缺陷。另有一種類似結(jié)構(gòu)采用0.8 gm硅雙極工藝制作的光電集成電路在入射光λ＝850 nm時(shí)，速率達(dá)到5 Gb/s，但響應(yīng)度只有R＝45 mA/W［38］?？偟膩碚f，這些單片集成的硅0EIC可以達(dá)到的工作速率已經(jīng)超過了采用Ⅲ－Ⅴ族化合物光電探測器與硅基放大電路混合集成的方式卩叨，這充分顯示了光電探測器單片集成的優(yōu)越性。

　　當(dāng)采用注入發(fā)射極時(shí)，發(fā)射區(qū)－基區(qū)光電二極管可以用于藍(lán)色和綠色光譜范圍的探測。但是當(dāng)采用了在雙極工藝中廣泛使用多晶硅發(fā)射極技術(shù)后，這種光電二極管的性能并沒有什么改善。可能是由于在這種工藝中，多晶硅淀積在N+發(fā)射區(qū)之上，也就是幾乎全部的光電探測器感應(yīng)區(qū)被多晶硅覆蓋。在多晶硅中注入光子被部分吸收，從而導(dǎo)致光電探測器量子效率降低，特別是對(duì)于藍(lán)光和紫外光譜段的量子效率尤其低。

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