為了提高工作速度和響應(yīng)度，往往采用PIN結(jié)構(gòu)。PIN結(jié)構(gòu)GaN紫外光電探測(cè)器具有以下優(yōu)點(diǎn)：（1）由于高的勢(shì)壘，因此有較低的暗電流；（2）工作速度高；（3）高阻抗適于焦平面陣列讀出電路；（4）通過調(diào)整本征層的厚度可以調(diào)整其量子效率和工作速度；（5）器件可以在低偏壓下或者零偏壓下工作[12]。在PIN結(jié)構(gòu)中，本征層起到了至關(guān)重要的作用，其厚度需要認(rèn)真優(yōu)化，因?yàn)樗扔绊懥诵视钟绊懥似骷俣?。圖3－25是一種常見的GaN ΠN光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)四，首先在600°C下淀積⒛nm厚的低壓緩沖層到藍(lán)寶石稱底，接著淀積500 nm厚的n￣Al0.5Ga0.5N層，然后生長(zhǎng)本征層1.Al 0.4Ga 0.6N。本征層Al0.4Ga0.6N是為了能探測(cè)到280 nm波長(zhǎng)的太陽(yáng)盲區(qū)紫外光（小于300 nm的紫外線波長(zhǎng)稱為地球大氣盲區(qū)）。為了減少位錯(cuò)和缺陷，避免陡峭的異質(zhì)結(jié)勢(shì)壘，Al的摻雜含量從n-Al0.5Ga0.5N層的50%到1Al.46a。滬的40%是逐漸過渡的，其過渡層厚度為17 nm。厚度為100 nm的摻Mg的p-Al0.4Ga0.6N隨后被淀積到本征層，淀積5 nm厚的p-GaN。這層p-GaN是為了改善歐姆接觸，為了減少光吸收該層厚度應(yīng)該盡量減小。同樣，在p-Al6.4Ga0.6N和pˉGaN層之間也有一個(gè)Al含量變化過渡層。半透明的Ni/Au金屬作為P型接觸電極，Ti/Au金屬作為N型接觸電極。

　　圖1  GaN PIN光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)

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