圖中表示了存取操作中的一個例子，該示例中的操作是管道模式（FT／Pipe引腳為高電平）下的操作，它按照讀／寫／讀這樣的順序進行存取。

　　圖 同步雙端口SRAM的存取操作示例

　　直流模式下的讀／寫操作，因為數(shù)據(jù)的輸出是被一個個時鐘前置的，所以在賦予地址的下一個時鐘沿上確定數(shù)據(jù)。
 
　　首先，在初的時鐘上CE有效，器件處于被選擇的狀態(tài)。因為R／W為高電平，所以操作是讀模式，而又因為ADS有效，因而將A0～A16作為所訪問的地址進行提取。在這個例子中，是在下一個時鐘中改變地址的，這只是希望表示管道模式操作才這樣描述的。
 
　　因為是在賦予地址的下一個時鐘沿開始輸出數(shù)據(jù)，所以，外部電路在所賦予指定地址的2個時鐘周期后的時鐘沿上提取數(shù)據(jù)。
 
　　在這次的示例中，在2個時鐘之后的時序內(nèi)將R／W設(shè)為低電平，則轉(zhuǎn)換為寫模式。如果在這個時鐘沿之前CE無效，則因為不能輸出Q（n）的數(shù)據(jù)，所以在外部電路中驅(qū)動I／O0～I／O8，可以在該時鐘沿上寫人數(shù)據(jù)。但是此示例中，由于CE一直有效，所以正在輸出來自雙端口SRAM的數(shù)據(jù)，因而不能寫入數(shù)據(jù)。只能在此等待一個時鐘，在下一個時鐘沿中寫入數(shù)據(jù)。
 
　　寫操作結(jié)束后，如果R／W再恢復(fù)為高電平，則變?yōu)樽x模式。從高電平的R／W被采樣的時鐘沿開始，2個時鐘之后確定數(shù)據(jù)。

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