圖所給出是根據(jù)經(jīng)驗數(shù)據(jù)總結(jié)得到360°繞法的Q曲線。分布電容的典型范圍如下：當(dāng)磁芯外徑小于0.5in時，是1O～25pF；當(dāng)磁芯外徑在0.5～1.5in時，是25～50pF；當(dāng)磁芯外徑大于1.5in時，是50～80pF。

　　曲線對應(yīng)了一定尺寸范圍磁導(dǎo)率分別為60和125時的磁芯的Q值曲線。對給定的尺寸和磁導(dǎo)率，Q曲線在低頻段重合在一起，其損耗幾乎完全取決于繞組的直流電阻。在這個區(qū)域內(nèi)的Q值用下式近似：

　　圖 MPP環(huán)形磁芯的Q值曲線

　　式中，f是工作頻率；Ω／H是在表給出的磁芯每H電阻值，當(dāng)μ≠125時，該值需要取修正后的。

　　當(dāng)工作頻率增加時，曲線開始出現(xiàn)分岔，并在隨后達到值。在值頻率處的銅損和磁芯損耗相等。在這個區(qū)域之后，磁芯損耗開始占主導(dǎo)地位，同時由于接近自諧振頻率，介質(zhì)損耗也在增加，導(dǎo)致Q值將急劇地下降。設(shè)計磁芯應(yīng)該盡可能選取曲線的上升部分。因為在這種情況下可以嚴(yán)格地控制損耗，并且有效電感相對于頻率大致保持為一個常數(shù)。