將多個(gè)磁性元件（如變壓器和電感或多個(gè)電感）集成在一個(gè)磁心上，稱為集成磁元件。這樣做的目的是可以減少轉(zhuǎn)換器的體積，使各個(gè)磁性元件之間的接線短，降低磁性元件的損耗。適用于低壓大電流情況。Cuk在⒛世紀(jì)70年代末，首先提出在有隔離的Cult轉(zhuǎn)換器中（IEEE PESO,1980）將輸人電感、輸出電感及變壓器集成在一個(gè)磁心上，如圖1所示，早期稱為耦合（Coupled）電感。

　　圖1 集成磁性元件的例子——有隔離的Cult轉(zhuǎn)換器

　　集成磁元件（Integrated Magnetics,IM）轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)稱IM轉(zhuǎn)換器，如100 kHz、50 W［正激式IM轉(zhuǎn)換器、變壓器和輸出濾波電感集成在同一個(gè)磁心上；5V及15V兩種輸出。航空用薄型0.5MHz、100W［半矯DC/DC轉(zhuǎn)換器，應(yīng)用混合功率封裝技術(shù)和集成磁性技術(shù)，厚度僅0.21 in、功率密度150W/in3。另一種集成磁技術(shù)是陣列式磁性元件，將電路中磁性元件離散化，形成分布式陣列布置，或形成磁結(jié)構(gòu)層，使磁結(jié)構(gòu)與電路極或其他器件緊密配合，實(shí)現(xiàn)集成化。也可以用微加工（Micro－Fabrication）技術(shù)研制千赫級(jí)轉(zhuǎn)換器的磁性元件，微加工是一種微型模式生成（Fine Patterning）和薄膜制作技術(shù)，可以減少磁心和繞組中的損耗，使變壓器面積小于10 mm2，還有可能像VLSI那樣制造集成功率電子電路，將磁性元件、功率電路、控制電路集成在硅片上。借用錄音磁帶的薄膜合金材料，可以使高頻磁性元件的磁感應(yīng)強(qiáng)度增高。加州大學(xué)Berkely分校微加工試驗(yàn)室已研制成10 MHz變壓器，開(kāi)發(fā)了沒(méi)計(jì)軟件，變壓器單位面積功率為20W/cm2，效率可達(dá)90%以上。

　　利用電感箔式繞組的層間分布電容可以實(shí)現(xiàn)磁性元件與電容的集成，稱為磁電混合集成。

　　南非Hofsajer報(bào)道了（PESO,1997）研究混合集成磁電元件的成果，將5kVA、f＝5kHz串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器的LC諧振元件（C＝500 nF，L＝60μH）和變壓器（電壓比430∶80）集成在一個(gè)平面磁心上，稱為L(zhǎng)CT集成元件。據(jù)說(shuō)，LCr混合集成早在1975年就有報(bào)道

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