磁心的損耗Pc有三種，即磁滯損耗Ph、渦流損耗Pc和剩余損耗Pe。磁滯損耗Ph正比于靜態(tài)磁滯回線包圍的面積和磁心的體積，當(dāng)初級(jí)勵(lì)磁磁通在磁心中穿過(guò)時(shí)，磁心本身也相當(dāng)于一個(gè)單匝的次級(jí)繞組，其感應(yīng)電壓在磁心等效電阻上的損耗即為渦流損耗Pe，剩余損耗是指由于磁性滯后效應(yīng)（即磁化過(guò)程中磁化狀態(tài)并不是隨磁化強(qiáng)度的變化而立即變化到它的終狀態(tài)的“時(shí)間滯后”現(xiàn)象）所引起的損耗。

　　磁心損耗與頻率、磁感應(yīng)強(qiáng)度有關(guān)。在低頻時(shí)磁心損耗幾乎完全是磁滯損耗。一般

　　Pe=(5%~10%)Ph

　　而頻率∫＝200～300 kHz時(shí)，渦流損耗和剩余損耗大于磁滯損耗，磁心損耗的數(shù)學(xué)模型可以表示為

　　Pc＝γBamfβsVc

　　式中    fs——開(kāi)關(guān)頻率；

　　         VC——磁心體積；

　　a、卩、γ——磁心材料有關(guān)的的系數(shù)。

　　例如，一種磁性材料的系數(shù)為：γ＝23.1，a＝2.6，卩＝1.31。圖1所示為高頻開(kāi)關(guān)電源中四種常用磁性材料的比損耗Pc（W/kg）與工作頻率的關(guān)系。

圖 1 四種磁性材料的Pc 與頻率f的關(guān)系

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