等效徑向氣隙磁通密度及等效徑向計(jì)算極弧系數(shù)
出處：xyzjob 發(fā)布于：2008-10-28 11:32:33
為了分析方便，將氣隙沿半徑方向分成5等分，并分另刂標(biāo)注為 A1A2、 B1B2、C1C2、 D1D2、 E1E2、 F1F2，如圖1所示。通過電磁場(chǎng)分析得到不同氣隙處的磁通密度分布，如圖2所示，可以看出，不同氣隙半徑處，磁通密度的分布差異較大。由于電機(jī)繞組與轉(zhuǎn)子永磁體之間有一定的氣隙，因此等效氣隙磁通密度可通過對(duì)B1B2、C1C2、D1D2、E1E2、F1F2處磁通密度的平均值來求得。圖2b中同時(shí)給出了等效氣隙磁通密度的平均值。由此等效徑向計(jì)算極弧系數(shù)αred計(jì)算如下：
式中，Bequ-av為等效氣隙磁通密度的值；Bepu-max為等效氣隙磁通密度的平均值。
圖1電機(jī)徑向不同氣隙位置標(biāo)志
圖2 不同半徑處磁通密度及等效磁通密度分布（徑向）
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處：維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)，http://www.hbjingang.com，違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 工業(yè)視覺檢測(cè)系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)與選型運(yùn)維指南2026/1/4 14:50:21
- 工業(yè)視覺檢測(cè)系統(tǒng)核心知識(shí)解析2025/12/29 11:23:21
- 工業(yè)級(jí)電磁閥技術(shù)參數(shù)與選型運(yùn)維指南2025/12/29 11:06:44
- 工業(yè)控制系統(tǒng)遠(yuǎn)程訪問安全實(shí)操指南2025/12/25 10:04:23
- 工業(yè)控制系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)安全防護(hù)實(shí)操指南2025/12/25 9:53:54
- PCB焊盤與過孔設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范（含可焊性與可靠性保障）
- 汽車電子常用電子元器件選型指南
- MOSFET驅(qū)動(dòng)與隔離方案設(shè)計(jì)
- 高溫環(huán)境下電源IC選型建議
- 安防監(jiān)控設(shè)備連接器應(yīng)用分析
- 高速PCB信號(hào)完整性（SI）設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)（PLL）中的環(huán)路濾波器：參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
