ST率先推出SO8N封裝的8Mbit和16Mbit串行代碼存儲閃存
出處：tyw 發(fā)布于：2007-09-30 14:46:18
世界的串行閃存供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）推出高速8-Mbit和16-Mbit串行閃存，新產(chǎn)品采用市場上同類產(chǎn)品中的封裝：SO8N。ST是市場上個推出這些封裝閃存的制造商，新產(chǎn)品尺寸緊湊，成本低廉，適合各種對成本有較高要求的計算機及消費電子產(chǎn)品的代碼存儲應(yīng)用，如打印機、光驅(qū)、無線局域網(wǎng) (WLAN)模塊以及機頂盒(STB)。
M25P80和M25P16是8-Mbit (1M x 8)和16-Mbit (2M x 8)串行閃存，具有先進(jìn)的寫保護機制，支持速度高達(dá)50MHz的SPI兼容總線的存取操作，能夠把程序快速加載到設(shè)備的RAM內(nèi)存中。用一條四線高速串行接口替代并行存儲器接口，這種設(shè)計可以使用更小的封裝，需要的引腳的數(shù)量較少，從而實現(xiàn)了節(jié)省成本和電路板空間的目的。此外，系統(tǒng)CPU或ASIC的引腳數(shù)量也相應(yīng)地被減少。
采用0.11納米制造技術(shù)，ST的設(shè)計在150mm寬的SO8封裝的裸片上實現(xiàn)了高達(dá)16Mbit的存儲容量。新產(chǎn)品還有其它型號的封裝，包括 5 x 6mm MLP8。M25P16還有一款208mm寬的SO8W封裝。全部都是無鉛封裝，并達(dá)到了RoHS法令的規(guī)定。 ST擁有各種不同系列的串行閃存產(chǎn)品，新的8Mbit和16-Mbit芯片增加了其重要的產(chǎn)品的范圍，使產(chǎn)品的存儲密度從512-Kbit一直擴展到128-Mbi。
這兩款新閃存IC的工作電壓范圍2.7V到3.6V, 工作溫度范圍-40到+85攝氏度。軟件功能包括整體擦除和扇區(qū)擦除、靈活的頁編程指令和寫保護，JEDEC標(biāo)準(zhǔn)兩字節(jié)電子簽名簡化了設(shè)備身份驗證，同時向后兼容一字節(jié)電子簽名。數(shù)據(jù)保存期限20年，每個扇區(qū)可承受100,000次擦寫循環(huán)。
M25P80和M25P16的樣品現(xiàn)已上市銷售，預(yù)計2006年第四季度開始量產(chǎn)，批量訂貨單價分別為0.95 美元(M25P80)和1.20美元 (M25P16)。
M25P80和M25P16是8-Mbit (1M x 8)和16-Mbit (2M x 8)串行閃存，具有先進(jìn)的寫保護機制，支持速度高達(dá)50MHz的SPI兼容總線的存取操作，能夠把程序快速加載到設(shè)備的RAM內(nèi)存中。用一條四線高速串行接口替代并行存儲器接口，這種設(shè)計可以使用更小的封裝，需要的引腳的數(shù)量較少，從而實現(xiàn)了節(jié)省成本和電路板空間的目的。此外，系統(tǒng)CPU或ASIC的引腳數(shù)量也相應(yīng)地被減少。
采用0.11納米制造技術(shù)，ST的設(shè)計在150mm寬的SO8封裝的裸片上實現(xiàn)了高達(dá)16Mbit的存儲容量。新產(chǎn)品還有其它型號的封裝，包括 5 x 6mm MLP8。M25P16還有一款208mm寬的SO8W封裝。全部都是無鉛封裝，并達(dá)到了RoHS法令的規(guī)定。 ST擁有各種不同系列的串行閃存產(chǎn)品，新的8Mbit和16-Mbit芯片增加了其重要的產(chǎn)品的范圍，使產(chǎn)品的存儲密度從512-Kbit一直擴展到128-Mbi。
這兩款新閃存IC的工作電壓范圍2.7V到3.6V, 工作溫度范圍-40到+85攝氏度。軟件功能包括整體擦除和扇區(qū)擦除、靈活的頁編程指令和寫保護，JEDEC標(biāo)準(zhǔn)兩字節(jié)電子簽名簡化了設(shè)備身份驗證，同時向后兼容一字節(jié)電子簽名。數(shù)據(jù)保存期限20年，每個扇區(qū)可承受100,000次擦寫循環(huán)。
M25P80和M25P16的樣品現(xiàn)已上市銷售，預(yù)計2006年第四季度開始量產(chǎn)，批量訂貨單價分別為0.95 美元(M25P80)和1.20美元 (M25P16)。
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